硅锗应变沟道MOSFET器件中阈值电压的解析模型.pdfVIP

电子 SILI CON 科学 LLEY一爨 《 OSFE 硅 锗 应 变 沟 道 M T器 件 中 阈 值 电 压 的 解 析 模 型 周少华熊琦李锐敏 ( 湖南 工程 职业 技术 学院湖南 长沙4100 15) [ 摘要】在分 析应变Si ／应变si l 一YGeY／驰豫S “一XGeX pMOSFET的在 栅极电压 作用下电荷在栅 氧化层下面的分布情况的基础 卜，通过求解泊松方程，得 到此器件 的隐埋si Ge沟道阈值电压解析 模型和表面沟道的 阈值电压解析模型 ，并用典型参数对 模型进行了模拟，得到的模拟结果与 实验结果能够很好 的吻合． 【关键词] s i Ge MOSFET器件阈值 电压解析模型 中图分类号；1118 文献标识码：A 文章编号：1871- - 759 7( 008) 1 000 8- 0 1 一、曹■ 大，Si Ge沟道的空穴面密度达到最大值p ”n ，继而空穴会越过 Si ／Si Ge价带势 随着MO$器件的物理尺寸越来越接近极 限值 ，迫切 需要寻找新 的材料或 皇到达Si ／Si 0 界血 『的Sj 盖帽层中，并在si 表面沟道中积累。定义当表 面沟道 研制新 的器件结构来满足b速增长的器件速度 的要求 。近年来 的研究发现应 中的空穴浓度增加到等于衬底掺杂浓度表面沟道开启 时的栅压VTs为表面沟道 变Si 沟道可 以明显提高电子、空穴 的迁移率 。应变Si Ge沟道可 以提高空穴迁 的闽值电压。此 时，器件的两个沟道都开启了．两个沟道分别具有截止区、 移率[ 1] 。而要与CMOS工艺兼容 ，需同时提高nMOS和pMOS管的性能。人们提 线性区和 饱和区三个工作 区域。 出了一些应用应变来改善性能的CMOS结构[ ] ，但是大部分的结构中， 三、一位电压梗盈 nMOS管pMOS管都是分别制作在si 片上 ，生产步骤繁琐 ，工艺复杂 ，成本高 。 ( 一) Sj Ge沟道 阈值电压VTI I 最近提 出了一种双应变( 应变Si ／应变si l _YGeY／驰豫s i l _ xGe x pMOSF ET) 随栅压I VGsf 的增人 ，衬底 中耗尽层宽度增加 ，当I Vc sf 增加到 『vTHI CMOS结构[ 3] ，这种结构同时利用了应变si 对电子迁移率 的增强和应变 时，耗尽层宽度达到最大值wm，此后耗尽层宽度不再随l v Gsl 的增大而增 Si Ge对空穴迁移率的增强作用 ，通过掺入不 同杂质，即可用作nMOS管或用作 大，Si Ge 沟道 空穴浓度等于体内衬底掺杂浓度ND，此 时si ／si l —YGe v界面 的 pMOS管 ，工艺简单。是目前最有前途 的一种利用戍变来提高Si CMOS集成 电路 表面势为： 性能 的结构。用作nMOSFET时是应变si 表面沟道器件，应变Si nMOS已经有很 多文献进行 了模拟[4 ] 。作为p MOSFET时是隐埋s i Ge沟道器件，都没有考虑在 ‰ ‰ +等 m( 老 ] ⋯ 栅极电压作用下表面沟道开启的情况。本文对此种CMOS结构 中的pMOSFET进 行 了阈值电压的解析模型建立及模拟 ，结果显示，模拟结果与实验结果能够 ‰ 一 仙 ( 剞 ( ) 很好的吻合 。 二、 ■件结构和工作曩曩 Vt 是热 电压 ，△Ev 是si l - v Gev与应变si 层的