多晶硅薄膜晶体管Kink效应研究与建模.pdfVIP

维普资讯 器件制缝与应团 M锄 曲ⅡingmdApplicationofI)cvice 多晶硅薄膜晶体管 Kink效应研究与建模 陈荣盛，郑学仁，邓婉玲 ，姚若河，吴朝晖，吴为敬 (华南理工大学 微电子研究所 ，广州 510640) 摘要：多晶硅薄膜晶体管 (P．Si1vrs)技术在 SOP (systemonpane1)显示应用中发挥着越来 越重要的作用。随着尺寸的不断缩小，P-SiTFT的Kink效应越来越 明显，对有源液晶显示矩阵和 驱动 电路的性能影响很大。对发生 Kink效应的物理机制、二维数值仿真及其一维解析模型进行 了分析 ，讨论 了晶粒边界、沟道长度与 Kink效应 的关系，提 出建立适合 电路仿真 的一维解析模 型的关键与展望。 关键词：多晶硅薄膜晶体管；Kink 效应；建模 中图分类号 ：TN321．5 文献标识码 ：A 文章编号：1003．353X (2008)03．0231．04 Research andModelingKink EffectinPoly·SiThinFilm Transistors ChenRongsheng，ZhengXueren，DengWanling，YaoRuohe，WuZhaohui，WuWeijing (1nstiaaeofMicroelectronics，SouthChinaUniversityofTechnology，Guangzhou510640，China) Abstract：Polysiliconthinfilmtransistors(P-SiTrrs)technologybecomesmorenadmoreimportantfor displaysystem-on-pnaelapplications，SOdoes nkeffectinscaled-downP-SiTFTs，’vithsignificnateffecton boht activematrixnaddrivingcircuit． ephysical mechnaism．2．Dna d1．D analyticalmodelsofKinkeffect wereresearched．Therel~ionsbetweengr~inboundary，chnanellengthna dKink effectwere alsodiscusesd． Th etrendkeymehtodof1-D analytical modelsuitableofrcircuitsimulationwere preesnted． Keywords：polysiliconhtinfilmtransistor(P-SiTFT)；Kinkeffect；modeling EEACC ：2560B 寸参数等与其关系 ，总结 出要成功建立一个能嵌入 0 引言 到电路仿真器的解析模型的关键及其展望。 在以信息高速公路与多媒体通讯为标志的现代 1 Kink效应的物理机制 信息社会中，信息显示技术得到了飞速发展 。P-Si TFT技术在 SOP显示应用 中发挥越来越重要 的作 以n沟道 P．SiTFTr为例 (图1)，当P．SiTFT偏 用llJ，但是阻碍其发展的一个重要问题就是输出特 置在过饱和区，处于高漏压的情况下 ，在 △ 夹断 性中，当偏置在高漏压的情况下 出现源漏 电流突增 区内将发生碰撞离化 ，产生大量的电子空穴对 ，同 现象，也