单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟.pdfVIP

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2017-09-11 发布于重庆
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单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟.pdf

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!!# 器件与技术 !!# $%’(% ) *%(+,-.-/0 单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟 $ $ % % % 姚娉，闫卫平，马灵芝，杜立群，郭吉洪（大连理工大学电子与信息工程学院，辽宁大连； $ $$’(%) %大连理工大学微系统研究中心，辽宁大连 $$’(%* ）摘要：根据单晶硅各向异性腐蚀的特点，以晶格内部原子键密度为主要因素，温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子，建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在+,--开发环境下利用./0123 技术，实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟，为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面。关键词：各向异性腐蚀；!!# 加工工艺；计算机模拟；./0123 三维技术中图分类号：文献标识码：文章编号：（） @A!% 2 %’ %?#’’ !B ?!C#?# !#$%’%(#) *)+#, -#)’% ./01#) 2#1340#% %5 6’/$044#7 2#4#)% % % ! ! ! D2E A04F ，D2G H=0?904F ，)2 /04F?I-0 ，JK /0?L.4 ，MKE N0?-64F （，，； %!#$$%% #’ ($)*!+,- .,’ #!(,/,!0+$/+, 1,/2%34 /*5 #’ 6%)7,#$#5 0+$/+, %%!( 7/,+ !!67% 8%4%+3)7 %,*%3 #’ 9/)3#:454*%, ，0+$/+, 1,/2%34 /*5 #’ 6%)7,#$#5 ，0+$/+, %%!# ，7/,+ ） !8$’0) ：2 46O= :69.7=8 50.37064 6P= -35 Q==4 Q.07 R68 500:64 3405678690: =7:-04F 986? :=55S T35=P 64 7-= 3405678690: =7:-04F :-383:7=80570: 6R 500:64 ，7-05 6P= P=9=4P5 304; 64 7-= Q64P5 P=4507; 6R 044=8 3765 U07- 8=59=:7 76 =4O0864=47 R3:7685 5.:- 35 7=9=837.8= ，:64:=4783? 7064 6R 7-= =7:-347S H07- V1WW 34P E9=4M/ ，07 -35 3::6905-=P 7-= 0:86 P;430: 50.37064 6R 500:64 3405678690: =7:-04F 34P 986O0P=P 8=5=38:-=85 U07- 3 O0O0P 047=8R3:= 76 7-= =7:-04F 986? :=55S 97/ :%’;$ ：3405678690: =7:-04F ；)*)+ 34.R3:7.804F 7=:-466F; ；:69.7=8 50.37064 ；E9=4M/ 在硅的各向异性腐蚀中