使用IGBT模块作并联设计须注意的事项.pdfVIP

嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 2010—05—19 使用 IGBT 模块作并联设计须注意的事项 朱翔 大于 400A 的 1200V IGBT 模块由于生产成本较高,在市场上的售价 也会比较高,而标准1200V,200-400A 62mm封装的模块,因技术与产品相 对稳定,产品通用性好,替换容易,故采用多个标准型 IGBT 模块并联来 提高电流额定是一个现阶段最经济的作法。但是由于 IGBT 自身参数的 不一致以及电路布局所可能导致的不对称,使用 IGBT 模块作并联设计 并不是简单的工作,不合理的选用元件作为并联或时很容易会使器件失 效进而损坏主系统上的线路。所以本文从器件的参数与提出引起分流不 均的原因,结合斯达自身的产品，应用部门在客户端成功的经验与厂内 的测试设备, 提出使用斯达 IGBT 模块作并联设计需注意的事项。 一般大于 100A 的模块，本身就是有若干个芯片并联而成的，虽然 厂家可以采用同一晶圆上的芯片来并联的措施减小模块本身的参数差 异。但涉及还是需要考虑到由此产生的模块参数个体之间自身的差异。 同时电路的对称性对并联是一个非常重要的影响，可以从静态和动态两 个方面，从期间本身的参数差异和电路对称性的差异这几个方面对其进 行阐述。 影响模块并联静态均流的因素 在实际使用中 IGBT 模块工作状态主要在导通和开关暂态,而导通 阶段时间比较长,电流大,这一段对影响较大，先从静态导通状态着手谈 论。 1.1．导通状态下影响模块并联均流的主要原因有下面4 点 a)饱和压降 Vce （sat ）的影响 b)并联功率回路阻抗不对称的影响 c)门极驱动电压 Vge 的影响 d)开启电压 Vth 的影响 e)二极管导通压降 Vf 的影响 1 Application Note AN9003 V0.0 嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 1)不同Vce （sat ）并联时的问题: 很多情况下，一般人会认为电流流过 IGBT产生的压降 Vce （sat ） 是一个定值，其实这是一种误解，Vce （sat ）指的其实是通过额定电流 产生的压降。对 IGBT 而言，在相同Vge 下，导通压降是电流的函数。 对于并联的 2 个 IGBT 而言，开通稳态时正向导通的所产生的压降 是相等的。因此，电流分布的均衡性取决于并联的各个 IGBT 的输出特 性的差异。 图１表示了两个不同输出特性的 IGBT在并联时表现出来的电流分 布的差异(并联时2 个 IGBT 的Vce 相同)。 图１不同输出特性的 IGBT 并联后的均流情况 图 2 并联时均流的示意图 2 Application Note AN9003 V0.0 嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 图 1中 VT1 和 VT2 为两个型号相同的并联的 IGBT，图 2表明两个 IGBT 的输出特性略有不同。iC1 和 iC2 分别为 VT1 和 VT2 在具有相同的管 压降（UCE1=UCE2 ）下的集电极电流，I 表示此类型 IGBT 的额定电流， Vcesat1 和 Vcesat2 表示两个 IGBT 在额定电流下分别的饱和压降。则可以 近似的认为： R1= （Vcesat1-Vo1)/I (1) R2= （Vcesat2-Vo2)/I (2) U =Vo1+R ×i (3) CE1 1 C1 U =Vo2+R ×i (4) CE2