YbKYWO42晶体生长.pdfVIP

第37卷 第5期 稀有金属材料与工程 、，01．37．No．5 RAREMETALhLmRIAI，SENGINEERING 2008正 5月 AND 2008 May Yb：KY(W04)2晶体生长 王英伟1一，程灏波3 (1．北京科技大学，北京100083) (2．中国民航安全学院，北京100102) (3．北京理工大学，北京100081) 摘 h烧结合成Yb：KYW多晶粉料， 要：采用顶部籽晶提拉法，生长了Yb：KY(W04)2新型激光晶体。在900℃经24 在600℃烧结18-20 h合成助溶剂K2w207。通过对晶体生长习性的分析，选用b向晶体做籽晶，在相变温度下生长低 晶体为低温相单斜晶系Yb：KYW。 关键词：激光晶体；晶体生长；顶部籽晶提拉法 中图法分类号：078 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2008)05．0922．04 多年来，人们一直在探索更新的从红外到紫外范 的研究及晶体在全固态激光器中的应用提供单晶样 围内的激光材料，特别是在这个波长范围内的非线性 品。 光学材料，从而构建效率更高、结构更紧凑的全固态 1 实 验 激光源[11。稀土钨酸盐晶体可以用关系式表示为： A(1+)Re(”’(w04)2，这一类晶体具有高的非线性折射 率，在二极管泵浦全固态激光器中有着重要的应用。 为5at％，溶质反应方程为： 低温相的KY(W04)2晶体是一种极具前景的激光基质 晶体，属于单斜晶系，空间群为C2h6=C2，c，Z=4。在 其中掺入Yb3+离子后，它将取代Y3+离子占据C．对称 1 2KYbo．osYo．95(W04)2+C02 位置，成为一种新型激光晶体Yb3+：KY(W04)2选择K2W207作助溶剂，反应方程为： t (Yb：KYW)[2．3]。由于Y3+离子与n3+离子半径相近，K2C03+2W03=K2W207+C02 所以可以实现高浓度掺杂而不出现浓度猝灭效应。 Yb：KYW晶体，能级结构简单，无激发态吸收、 上转换及浓度猝灭等不必要的过程；量子缺陷低、吸 120℃的烘箱中干燥24h，分别研细，用电光分析天 收带宽、发射截面大、光转换效率高、荧光寿命长， 平称量后放入研钵中充分混合均匀。将配制好的原料 这些特点使其成为高效、高能量激光器的首选[4,51。 压片后放入铂坩埚中，置于760℃烧结10～12h，使 Yb：KYW晶体的发射带宽，可以获得宽调谐激光动转；碳酸盐充分分解。冷却后再将其研细，分别在850、 另一方面，其自身具有很大的非线性折射率(甩：= 8．7x10‘16 n2=3．1×10。16 间为24~30h。 cm2侧：Ti：sapphirecm2／w)，非 线性折射率越大，其克尔透镜效应越明显，所以它可 晶体生长设备为改装的TDK．36AZ型单晶炉，控 以实现半导体直接泵浦下的自启动自锁模运转【6】。 温装置为越人工智能工业调节器，采用上底痧6