衬底温度对溅射法生长CuAlO薄膜性能的影响.pdfVIP

第36卷 增刊l 稀有金属材料与工程 vol，36，SuPpll 2∞7年 s月 RAREMETALMATER【ALSANDENGⅡ岖ERⅡqG2007 Auglm 衬底温度对溅射法生长Cu．Al—o薄膜性能的影响 兰伟1，一，董国波2，张铭2，王波2，严 辉2，王印月1 (1．兰，f『大学物理科学与技术学院．甘肃兰州730000) (2．北京工业大学材料科学与工程学院，北京I∞022) 摘要：使用多晶clLAl02陶瓷靶．利用射频磁控溅射法沉积cu-Al_o薄膜。傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与 5∞℃时薄膜透过率在60％～70％之问．计算拟台得到cu．Ako薄膜的直接和间接带隙能分别为3．52ev和1．83ev左右， 与多晶cuAl02薄膜结果一致。在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制，其电导率随村底温度的升高先增大后减小， 成情况的改善。 关键词tcu．Al-o薄膜；衬底温度；透过率：电导率 中圈法分类号：TN304．2；1N305．92文献标识码：A 文章编号；1002．185x(2007)sl-0921．04 较少。 1 引 言 本实验使用射频磁控溅射法制备cu-A1．o薄膜。 透明导电氧化物(Tc0)薄膜在太阳能电池、平通过改变制备参数．研究了薄膜的光学和电学性能受 面显示器、特殊功能窗口涂层等领域已得到了广泛地 衬底温度的影响。 应用。然而现有的TcO薄膜多为n型半导体，如ITO， 2实验 sn02：F，znO：AI等。以空穴载流子导电的p型Tco实 现存在很大的难度，这就阻碍了TCO向以口．n结为基 多晶cuAl02靶使用高温烧结技术制各。将分析 础的半导体全透明光电器件的研究开发。1997年， Kaw∞oe等人…首次报道了p型CuAl02薄膜的工作， 然后置于A1203陶瓷罐中煅烧。在500℃保温1h，让 且提出了价带化学修饰理论(cMⅦ)，为D型Tco h。生成 Al(OH)3充分分解，之后升至1100℃保温lO 的研究开拓了一条新的思路。目前p型Tco的研究主的纯相cuAl02粉末使用标准陶瓷靶材工艺制成溅射 要包括p型zno和Cu+基透明导电氧化物如cuAl02．靶。 src“202，LacuOs等。与p型zⅡO相比cu+基TcO 使用射频磁控溅射法在石英衬底上制备cu．Al—O 具有一定的优势，它本征就表现出p型半导体特性． 薄膜。具体参数如下：背底真空6×104Pa，功率100 不存在补偿大量电子由n型转p型的困难，因此成为 w，溅射气压l p型TcO重要的一类候选材料。 ℃。 Cl城102除了p型透明导电性外．近来又发现其具 有光伏特性口“，对臭氡的气敏特性瞄。以及热电特 性嘲等，已逐渐发展成为一个多功能半导体材料。 ClLAl02薄膜制备方法包括激光烧结【“、金属有机化学里叶变换红外光谱(BR啪R)判断粉末和薄膜键台 气相沉积【7】、溅射法16．“，潞胶．凝胶‘”和喷雾热解法【”】 480A测 情况。膜厚使用表面粗糙度分析仪surfcom 等。与其他方法相比。溅射法有利于工业化大规模生 量。紫外可见光透过和反射谱使用SHlMADzu公司 产高质量薄