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第38卷 第2期 稀有金属材料与工程 C01.38,No.2
2009年 2月 RAREMETALMATERIALSANDENGn旺ElUNG 2009
February
磁控溅射法制备Lao.7Sro.3Mn03/Nbo.01SrTi0.9903
结的整流特性研究
异质P—n
陆然,张铭,代红云,严辉
(北京工业大学,北京100022)
结。电学性能测试表明,该异质结在40-320K温度范围内均表现出较好的整流特性,且扩散电势随温度升高而降低。
这是由于耗尽层厚度在热扩散作用下逐渐变薄以及温度对界面电子结构调制作用的共同结果。随外加正向偏置电流的
K。
增加,提高Lao.7Sro.3Mn03薄膜中的空穴浓度,增强其双交换作用,使金属.绝缘转变温度从200K升高至约250
关键词:p-n异质结:整流特性;磁控溅射
中国法分类号:0471.5 文献标识码:A 文章编号:1002.185x(2009)02.0299.04
钙钛矿结构氧化物(aB03)属于典型的强关联电目前为止几乎所有报道所采用的制备方法均为脉冲激
子体系,涵盖了一系列重要的物理性质,如介电、铁 光沉积(PLD)技术。然而,对于实际的微电子应用来说,
电、压电、热电、光电、超导、庞磁电阻(CMR)光学磁控溅射技术要优于脉冲激光沉积方法,因为其具有
非线性等特性和效应。尤其是具有CMR效应的钙钛 与微电子技术相容的可大面沉积薄膜的优点。在本研
矿锰氧化物材料,可表现出强烈的结构、磁性和电性
关联,能够观察到电荷有序、轨道有序、电磁相分离 Nb.STO)庞磁电阻p-n结的制备和P.n结整流特性。
等丰富的物理现象。近些年来,随着CMR效应等现
1 实 验
象的发现,钙钛矿锰氧化物材料的研究已成为科学研
究的前沿课题,无论是新材料的探索和研究,还是相 1.1试样制备
关理论研究,都取得很大的进展。若将钙钛矿锰氧化
物与不同类型的同一性质或不同性质的氧化物叠层 所要求的化学计量比均匀混合,并经高温烧结而成的
外延在一起构成异质结结构,有可能研制出可集成
光、磁、电各种特珠功能的新型功能性器件,如肖特 沉积厚度约100nm的LSMO薄膜,溅射气体采用高
纯Ar和02,二者按质量流最比16:4混合;工作气压
基结11·21、场效应管【31、隧道结t4,5]、P-n结[6。111等;若
与锗、硅【12】等叠层外延在一起,即可实现功能器件 为0.5Pa:溅射功率为100W;衬底温度为800℃。
与大规模集成电路的集成和一体化。因此,高质量锰 为了弥补磁控溅射沉积中由于较低的氧分压所导致的
氧化物基异质结构的研制已成为自旋电子学的一个 薄膜中氧含量的不足,薄膜沉积后对其进行原位0.1
重要研究领域。 MPa大气压高纯氧气下60rain的退火处理,退火温度
与沉积温度相同。
掺杂的镧锰氧化物La0.7Sro.3Mn03(LSMO)是具有
1.2性能表征
CMR效应和空穴导电特性的P型材料[13,t4],
AXS
采用Bruker
Nbo.olSrTio.0903m.STO)单
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