单晶硅材料电致双折射的研究.pdfVIP

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第27卷第3期 红外与毫米波学报 V01.27,No.3 2008年6月 Millim.Waves June,2008 J.Infrared 文章编号:1001—9014(2008)03—0165—05 单晶硅材料电致双折射的研究 张玉红1’-, 陈占国1, 贾 刚1, 时 宝1, 任 策1, 刘秀环1, 武文卿1 (1.集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012; 2.吉林建筑工程学院,吉林长春130021) 摘要:首次测量了硅材料在1.3p,m波长处,基于克尔效应和弗朗兹.凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶 非线性极化率张ix口’的分量z嚣.观测到弗朗兹·凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实 验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为An=5.49×10“6瑶,而弗朗兹·凯尔迪什效应引起的折射率之差为 血’=2.42×10。16砖5. 关键词:克尔效应;弗朗兹一凯尔迪什效应;电致双折射;三阶非线性极化率张量;偏振态 中图分类号:0472+.3文献标识码:A RESEARCHONELECTRo.INDUCED INCRYSTALSILICON ZHANG Zhan-Gu01,JIABa01, Yu—Hon91~,CHEN Gan91,SHI REN WU Cel.LIUXiu.Huan‘, Wen—Qin91 on ofElectronicScienceand (1.StateLaboratory Key IntegratedOptoelectronics,College University,Changehun130012,China; Engineering,Jilin 2.JihnArchitecturalandCivil EngineeringInstitute,Changchun130021,China) Abstract:Theelectro—induced basedonKerreffectand effectinbulksilicon at1.3 birefringence Franz-Keldysh crystalpan theelement third-ordernonlinear calculated.ItWtlg WO$measured,and wavelength x器of susceptibilitytensor∥”was foundthatthe ofrefractiveindexinduced effect onthe ofthe probing change byFranz—Keldyshw幽dependentpolarization beam.ItwasmeaswredthatthedifferencesofrefractiveindicesinducedKerreffectand eff

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