长效型照明元件的研制.pdfVIP

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 成長以矽為基板的大尺寸、高品質氮化鎵薄膜及其高亮度、 長效型照明元件的研製 計畫類別：個別型計畫 計畫編號：NSC92-2215-E-007-024- 執行期間：92年08月01日至93年07月31日 執行單位：國立清華大學材料科學工程學系(所) 計畫主持人：周立人 報告類型：精簡報告 處理方式：本計畫可公開查詢 中 華 民 93年11月2日 國 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告 ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ 成長以矽為基板的大尺寸、高品質氮化鎵薄膜及其高亮度、長效照明元件的研製 ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ 計畫類別：＊個別型計畫 計畫編號：NSC 92-2215-E-007-024 執行期間：92 年8 月1 日至93 年7 月31 日 計畫主持人：周立人 共同主持人： 計畫參與人員：謝進華, 柯孟綜, 賴明偉 執行單位：清華大學材料工程系 中華民國93 年7 月25 日 1 成長以矽為基板的大尺寸、高品質氮化鎵薄膜及其高亮度、長效照明元件的研製 “Growth of high quality GaN thin film and fabrication of ultrahigh luminescent, longevity devices” 計畫編號：NSC 92-2215-E-007-024 執行期間：92 年8 月1 日 至93 年7 月31 日 主持人：周立人 清華大學材料工程系教授 一、中文摘要 二、Introduction 利用電漿輔助分子束磊晶 (plasma Recently, the remarkable progress of growth enhanced molecular beam epitaxy, PEMBE)來成 technique, GaN has shown great potential for 長擴散抑制層(diffusion inhibition layer, DIL) ， using in luminous devices, ultraviolet detectors 並由高分辨電子顯微鏡(high resolution and high-frequency electronic devices. However, transmission electron microscopy, HRTEM)來鑑 the lack of a suitable substrate which is lattice 定分析。由資料顯示出擴散抑制層不僅可以減 matched and thermally compatible with GaN has 緩矽的內擴散(inter-diffusion)問題，並可以促 still challenged the researcher to grow high 進在(111)晶面的矽基材上成長出高品質，大尺