半阻半手材油事⑦半导体纳米结构中的库仑阻塞现象.pdfVIP

维普资讯 Surfaces III Ed b S Ed by E M Ana 3ssak and J D J．,l~nnopou10s． Ver[ag，ct991) 606 W o：ld 5cient{Ec Publisher r199l， 2 5 Cl{ M Che~ter 【G Gtlstal~son、BMi Am Ph)s．Soc r。7l R H0l aⅡd J P Nczze：． Ph*ts Rev B 43 3 190) 5019 f199 1．9720 【【5] E Baue： r， I z50(199¨_L 9 [18] L Ye㈣ i：P w Rev ，3 【9q,9) 10l44 【【6] XieXidcand YeLin．_H PI 。f be20吨 ]nterna一 【9] L YeandA J F[… aH ，．Sci 23s(199q)．L526． tionalCoaSte… … tke Pkysic ofSemiconductof [2011 乔菲 、张开明 ，物理学报 ，40(1991) 1s40． 半 阻 _半 手材 油事 ⑦ 半导体纳米结构 中的库仑阻塞现象 一 6 郏厚植 耳7J (中国科学院半导体研究所半导体超 晶格匡家重点实验 室，北京 100083) 库仑阻塞效应是近年来 固体物理 中的研究热点之一 ．扼要介 了金属隧道结及半导体量子点中的 库仑阻塞现象的基本特性 ，库仑阻塞与电子态尺寸量子化之间的相互影响，量子点旋转门器件 (QDT$) 的原理和其他潜在的应用前景 ． Abstract Recently，Coulomb blockade hasbeen form ing a hottopic in condensed matter physi— cs．In the presentarticlewe aim to give a briefintroduction to the basic featuresof Co— ulgmbblockade inmetaltunneling junctionsand semiconductorquantum dots，the intera— ction between Coulomb blockade and size quantization ofelectronic states， the operating mechanism ofquantum dotturnstiles(QDTS)，andotherpotentialapplications． 为了形象地解释什 么 是 库 仑 阻塞 现 象 电子才有可能再进入．这样利用库仑阻塞效应 (Coulombblockade)，不妨首先考虑一种假想 就有可能使电子逐个隧穿进 出库仑岛，实现单 情况．如果有一金属微粒与其周围外界在电学 电子隧 穿过程．本文将 扼要介绍库仑阻效应 乳 上是绝缘的，只有在特定的条件下电子才可能 起的有趣现象和它的潜在应用前景． 从外面隧穿进入该金属微粒．当金属微粒的尺 库仑阻塞概念 的提 出最 早 可 以 追 溯 到 寸足够小时它与周围外界之间的电容 C可小到 1951年． Gorter等 人 为了解释 颗粒 状金 属 l0_ ‘F的量 级．在这种条件下每 当单个 电子 从 电阻随温度下降所表现出来的反常增 加 行 为 ， 外面隧穿进入金属散粒时 (有时也称它为孤立 假想材辩 中每个金属微粒与其周围的微粒在 电 的库仑岛)，它给库仑 岛附加 的 充 电能 ／C 学上是绝缘 的，栏互之间存在着隧穿势垒．他 (为 电子 电荷)可