CMOS带隙基准电压源电路的模拟.pdfVIP

第 25卷 第4期 北 京 信 息 科 技 大 学 学 报 Vo1．25No．4 2010年 12月 Journ~ofBeijingInformationScienceandTechnologyUniversity Dec．2010 文 章 编 号：1674—6864(2010)04—0066一O6 CMOS带隙基准电压源 电路的模拟 杨 园 (北京信息科技大学 理学院，北京 100192) 摘 要 ：利用CSMC0．6txmCMOS标准工艺及 OrCAD模拟电路设计软件环境，设计 了2 种具有曲率补偿的带隙基准电压源电路 ，并用Hspice对电路的温漂、电源抑制比、电源电压稳定性 及 电路功耗进行 了仿真。仿真结果表明，第 1种在 一20cjC～130oC温度范围内，温度 系数为29．97 ×10 ／ ；第2种在 一20℃ ～130℃温度范围内，温度 系数为 12．73×10 ／cc。 关 键 词 ：曲率补偿；带隙基准 ；温度系数；电源电压抑制比 中图分类号 ：TN433 文献标志码 ：A SimulationofCM OSbandgapreferencecircuit YAN Yuan (SchoolofAppliedSciences，BeijingInformationScienceandTechnologtrUniversit)r，Beijing】00192，China) Abstract：ThispaperpresentstWOcurvature—compensatedbandgapreferencecircuitsimplemented inCSMC0．6txm CMOSstandardtechnologyandOrCAD analogcircuitdesignsoftwareenvironment．The temperaturecoefficient(T)，powersupplyrejectionratio(PSRR)，powersupplyvoltagestability(PSVS) andpowerofthetwocircuitsaresimulatedinHspice．ThesimulationofHspiceresultsshow thatthefirst circuitachievesaTcof29．97×10—6／％ from 一20~C to130~C．ThesecondTC ofoutputvoltageisa— bout12．73×10 。‘／‘~C attherangeoftemperaturefrom 一20qC to130~C． Keywords：curvature—compensated；bandgap reference；temperaturecoefficient；powersupplyre— ectionratio 精度基准电压源的设计 自20世纪70年代以来备受 0 引言 人们的关注。因此，基于CMOS工艺设计一种高性 基准电压源指在电路中用作电压基准且具备极 能、低温漂、可集成于片上系统的基准源成为必要 。 高温度稳定性的电压源，理想的基准 电压源应不受 带隙基准直接来源于硅的带隙电压，它可 以提 电源和温度的影响，在系统中能为其他 电路提供稳 供唯一的值为 1．205V¨的实际可用电压。好的基 定的电压。因基准源温度稳定性与噪声直接影响整 准 电压源温度系数可以降到几个 10～／~C，并且能 个系统的精度，而 “基准”一词正说明基准电压源的 在很大温度范围内使用。 数值应比一般