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第 卷第 期 重庆邮电大学学报 自然科学版
年 月
基于二维数值仿真技术的局部场氧化形状建模
陈晓敏
成都工业学院信息与计算科学系四川 成都
摘 要通过工艺仿真软件 对 中常用的硅局部场氧化 技术所生
成的 鸟嘴 图形进行了仿真 提出了一种形状模型 随后利用最小二乘拟合法得到相对应的参数 拟合误差为
并最后以分段函数的方式给出了模型的表达式 该模型可以使 鸟嘴结构更加方便应用于半导体器件的数值
仿真和设计
关键词 工艺仿真 硅局部场氧化 形状模型 最小二乘拟合 分段函数
中图分类号 文献标识码 文章编号
引 言
阈值电压的调整也称窄沟效应 对功率器件横
硅局部场氧化 向电场的调节等
技术是硅基 工艺中实现隔离的重要技术之 虽然很多半导体仿真软件将工艺仿真和器件仿
一 特别是对于一些晶体管尺寸要求不是很高的 真融为一体但工艺仿真较为复杂增加了半导体器
芯片中例如功率 由于其简单易控制的特点 件的设计周期 本文提出了一种估算鸟嘴形状的简
被大量使用 技术也大量用于横向功率器 易模型可以根据该模型计算出鸟嘴的基本参数直
件的场板技术 中可大大降低结边缘的电场从 接应用于半导体器件的仿真以及估算中去大大节
而提高功率器件的击穿电压和可靠性 约了设计时间
由于氧化的各向同性以及氧化硅与氮化硅之间
工艺流程及提出的形状模型
的应力作用 技术生成的氧化层被称作的鸟
嘴 鸟嘴结构的存在对于器件性能具有显著的 工艺分为 个步骤 氮化硅的淀积及
影响 如其对金属氧化物半导体场效应晶体管 刻蚀 氮化硅的作用是做氧气扩散的掩模版 氮
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第 期 陈晓敏 基于二维数值仿真技术的局部场氧化形状建模
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