氮化硅薄膜制备方法现状综述.pdfVIP

维普资讯 氮化硅薄膜制备方法现状综述 王志刚 张伟儒 李 伶 王重海 (t山东理工大学材料科学与工程学院，淄博 255049；北京中材人工晶体有限公司，北京 100018； 山东工业陶瓷研究设计院，淄博 255031) 摘 要：氮化硅薄膜是一种多功能材料，在许多领域有着广泛的应用。本文系统综述氮化硅薄膜的性 质、结构、应用及各种制备方法 ，并对今后的研究作 了展望。 关键词：氮化硅薄膜；制备方法；化学气相沉积 氮化硅薄膜是一种重要的精细陶瓷薄膜材 料，它既是优 良的高温结构材料，具有 良好的抗 1 氮化硅薄膜特性及生长机理 冲击、抗氧化和高强度等特点；又是新型的功能 材料，在许多方面已获得广泛应用 。氮化硅薄膜 1．1 氮化硅薄膜的特性 具有很多优 良的性能，如硬度高、抗腐蚀、耐高 化学计量 比的氮化硅两元素质量 比应为 温、化学惰性与绝缘性好、光电性能优 良等特点， 39．9％比60．1％(N／Si)，但是用各种工艺制成的 所以被广泛的应用于微电子领域 、微机械制造 、 氮化硅薄膜其化学比常有偏离。氮化硅晶体有 光电子工业 、太阳能电池、陶瓷切削加工工具、材 相和 B相两种结构。低温相为 相，既 一SiN ， 料表面改性以及航天航空等领域。 高温相是p相，即p—Si，N。二者结构示意图见下 在半导体器件和集成电路中，氮化硅薄膜用 图 1： 作钝化膜 ；在 MOS电路中，Si，N 和 SiOz组成复合 栅绝缘层 …，对于提高电路的击穿电压起了很大 作用，是 MOS电路 中最重要的工艺之一，它和 SiO 一起，成为半导体工艺中不可缺少的介质 ◇ 癣 膜。 在军工与航空航天领域，多孔氮化硅芯层透 (a)a—Si3N4的晶体结构 (b)13一Si3N4的晶体结构 波材料的研制成功对于实现真正意义上的高马 图1 氮化硅薄膜的2种晶型结构 赫数宽频制导至关重要，为提高它的抗冲刷性和 用化学气相沉积法制备的氮化硅薄膜 (沉积 达到宽频的要求，必须在其表面制备一层致密氮 温度低于 1300～1400℃)一般为非晶态。非晶态 化硅薄膜从而使芯层与膜层之间形成一定的介 氮化硅在短积结构上与 B—SiN很接近，其主要 电常数差值有利于拓宽材料透波频带；同时，致 区别在于B—SiN 具有长程平移对称性，键配位 密氮化硅薄膜也是一种 良好的硬质膜 】，可以弥 饱和，而非晶氮化硅却不具有长程平移对称性 ， 补芯层多孔氮化硅 由于多孔性造成的表面硬度 具有不饱和键配位…。晶态氮化硅与非晶氮化硅 不足的缺点。因此，氮化硅薄膜的研制，尤其是在 却不具有长程平移对称性，具有不饱和键配位¨】。晶 多孔氮化硅基体上制备致密氮化硅薄膜，各国学 态氮化硅与非晶态氮化硅的微观结构不同，晶态 者均十分重视，对各种制备方法及工艺参数进行 氮化硅中存在大量的空位、空洞、晶界及气孔等 了深入的研究。 缺陷，这些也将对晶态氮化硅 的塑性变形产生影 作者简介 ：王志刚(1977～)，男，硕士研究生 ．主要从事氮化硅薄膜材料的研究 12 维普资讯 响，非晶态氮化硅在结构和成份上都是均匀的， 结构的均匀性表现为单相无定型结构，没有像晶 2 氮化硅薄膜 的制备方法 态氮化硅那样的结构缺陷，如晶界、孪晶、晶格缺 陷、位错、层错