浅谈LED的热量产生原因-学习LED热量产生的原因.pdfVIP

欢迎交流指正 mayertank@163.com 学习 LED 热量产生的原因 一、LED 在外加电能量作用下，电子和空穴的辐射复合发生电致发光，在 P-N 结附近辐 射出来的光还需经过芯片（chip）本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界（空气）。综 合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有 30-40％的 输入电能转化为光能，其餘 60-70％的能量主要以非辐射复合发生的点阵振动的形式转化 为热能。而芯片温度的升高，则会增强非辐射复合，进一步消弱发光效率。大量的热，以至 于在使用过程中发生问题,使得产品可靠性成为主要问题。 LED 在正向电压下，电子从电源获得能量，在电场的驱动下，克服 PN 结的电场，由 N 区跃迁到 P 区，这些电子与 P 区的空穴发生复合。由于漂移到 P 区的自由电子具有高 于 P 区价电子的能量，复合时电子回到低能量态，多餘的能量以光子的形式放出。发出光 子的波长与能量差 Eg 相关。可见，发光区主要在 PN 结附近，发光是由于电子与空穴复 合释放能量的结果。一隻半导体二极体，电子在进入半导体区到离开半导体区的全部路程中， 都会遇到电阻。半导体二极体的物理结构简单地从原理上看，半导体二极体的物理结构源负 极发出的电子和回到正极的电子数是相等的。普通的二极体，在发生电子－空穴对的复合是， 由于能级差 Eg 的因素，释放的光子光谱不在可见光范围内。 电子在二极体内部的路途中，都会因电阻的存在而消耗功率。所消耗的功率符合电子学的基 本定律： P ＝I2 R ＝I2 （RN ＋＋RP ）＋IVTH 式中：RN 是 N 区体电阻 VTH 是 PN 结的开啟电压 RP 是 P 区体电阻 消耗的功率产生的热量为：Q ＝ Pt 式中：t 为二极体通电的时间。 本质上，LED 依然是一隻半导体二极体。因此，LED 在正向工作时，它的工作过程符合上 面的叙述。它所它所消耗的电功率为： P LED = U LED × I LED 式中：U LED 是 LED 光源两端的正向电压 I LED 是流过 LED 的电流 这些消耗的电功率转化为热量放出： Q ＝P LED × t 式中：t 为通电时间 实际上，电子在 P 区与空穴复合时释放的能量，并不是由外电源直接提供的，而是由 于该电子在 N 区没有外电场时，它的能级就比 P 区的价电子能级高出 Eg。当它到达 P 区 后，与空穴复合而成为 P 区的价电子时，它就会释放出这麼多的能量。Eg 的大小是由材 料本身决定的，与外电场无关。外电源对电子的作用只是推动它做定向移动，并克服 PN 结 的作用。 LED 的产热量与光效无关；不存在百分之几的电功率产生光，其餘百分之几的电功率 产生热的关係。透过对大功率 LED 热的产生、热阻、结温概念的理解和理论公式的推导及 热阻测量，我们可以研究大功率 LED 的实际封装设计、评估和产品应用。需要说明的是热 量管理是在 LED 产品的发光效率不高的现阶段的关键问题，从根本上提高发光效率以减少 热能的产生才是釜底抽薪之举。--以上是“浅淡 LED 的热量产生原因” 一般情况下,光输出量随结温的增加而减小的效应是可逆的,也即当温度回复到初始温 度时,光输出通量会有一个恢复性的增长。这种效应的发生机制显然是由于材料的一些相关 参数会随温度发生变化,从而导致器件参数的变化。如随温度的增加, 电子与空穴的浓度会增 加,禁带宽度会减小, 电子迁移率也将减小.这些参量的变化必须引致器件输出光通量的下降。 然而当温度恢复至初态时,器件参数的老化也将随之消失,输出光通量也会恢复。显然,减小 LED 温升效应的主要方法,一是设法提高器件的电光转换效率(又称外量子效率),使尽可能多 的输入功率转变成光能,另一个重要的途径是设法提高器件的热散失能力,使结温产生的热, 通过各种途径散发到周围环境中去。 章驰 QQ ：307422980 6/4/2009 欢迎交流指正 mayertank@163.com 二、不同电流不仅改变被测 LED 的光输出量，同时也改变色度、效率等。尽管工作电 流增大，被测 LED 的光输出增大，但其显色指数和照明效率却逐渐下降，而其发光效率与 和光电转换效率也不是在电流值最大的情况下效率最高。由此可见，我们应该依据实际需要 来设定 LED 的工作电流，对于需要增大光输出的需求，电流越大越好，但是