Ga掺杂La9x3GeO46xGaO4xO15的合成及导电性能研究.pdfVIP

第25卷第4期 无 机 化 学 学 报 V01．25No．4 CHEMISTRY 584—588 2009年4月 CHINESEJt)URNALOFINORGANIC 安永昕1,2王贵领3赵 辉¨ 霍丽华1 尹鸽平2 (1黑龙江大学化学化工与材料学院，功能材料省高校重点实验室，哈尔滨150080) P哈尔滨工业大学化工学院应用化学系，哈尔滨 150080) (3哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院，哈尔滨 150001) 物在l350℃烧结24 S-cm一，是同 温度La“Ge04)oO。，(1．259x10’3 05Pa保持不变，证明材料 S·cm一‘)电导率的2．5倍。氧分压测试结果表明：材料的电导率在p