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半导体基础知识 第一章 半导体基础知识 第一章 半半导导体体基基础础知知识识 第第一一章章 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U ≈1.3V U ＝0 U ≈－1.3V U ≈2V U ≈2.3V U ≈－2V O1 O2 O3 O4 O5 O6 四、U ＝6V U ＝5V O1 O2 五、根据P ＝200mW 可得：U ＝40V 时I ＝5mA，U ＝30V 时I ≈6.67mA，U CM CE C CE C CE ＝20V 时I ＝10mA，U ＝10V 时I ＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图 C CE C 略。 六、1、 V −U I = BB BE = 26μ A B R b I = β I = 2.6mA C B U = V − I R = 2V CE CC C C U ＝U ＝2V。 O CE 2、临界饱和时U ＝U ＝0.7V，所以 CES BE V −U I = CC CES = 2.86mA C R c I I = C = 28.6μ A B β V −U R = BB BE ≈ 45.4kΩ b I B 七、T ：恒流区；T ：夹断区；T ：可变电阻区。 1 2 3 习题 ui /V 10 1.1 1.1 11..11（1）A C （2）A （3）C （4）A O t 1.2 1.2 11..22不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而 烧坏。 uo /V 10 1.3 1.3 11..33 u 和u 的波形如图所示。 i o