超短脉冲激光辐照硅膜升温效应的模拟研究.pdfVIP

第20卷第3期 强 激 光 与 粒 子 束 v。1．20，No．3 BEAMS LASERANDPARTICLE POWER Mar．，2008 2008年3月HIGH 文章编号：1001—4322(2008)03-0353—05 超短脉冲激光辐照硅膜升温效应的模拟研究。 郑 楠， 梁 田， 石颖， 齐文宗 (四川大学电子信息学院，成都610064) 摘要：考虑到载流子和晶格的热容、热导率、弛豫时同等热力学参数随温度非线性变化因素的影响，利 nm 用有限差分算法。数值求解了半导体材料自相关热传导模型，讨论了2肛m厚硅膜在波长和脉宽分别为775 ps 和500Is的脉冲激光辐照下的升温规律。数值结果表明：硅膜前表面载流子温度在激光辐照过程的0．69 时刻达到最大值。在4．8ps时刻以后硅膜基本趋于总体热平衡；载流子热容的快速变化以及单光子吸收和由 载流子浓度变化而引超的载流子能流变化是导致载流子温度变化的主要原因；超短脉冲激光辐照时，激光作用 时问短，各扩散项及传导项不起主要作用，因此硅膜内各主要计算参数与硅膜的厚度及基体材料类型等的关系 不大。 关键词：超短脉冲激光；硅膜I激光退火， 自相关模型，有限差分法 中图分类号：TKl24}0437；0434文献标识码：A 近年来，半导体激光器发展迅速，已经在光通讯及光网络、固体激光器的泵浦、光纤传感、激光测距、激光检 测、激光医疗以及激光加工等方面得到了越来越广泛的应用n一。此外，半导体材料也已普遍应用于各类光学 系统中主动元件和被动元件的制作，如激光源、光放大器、光调制器、光电接受器、集成光学元件及非线性光学 元件、透镜及窗口、反射镜等Is]。在每一个元器件的应用过程中，几乎都必然要涉及到材料的激光损伤问题。 除此之外，激光退火技术已经成为半导体材料加工中一项非常重要的技术。深刻理解超短脉冲激光对半导体 介质损伤过程中能量的传递机制，有助于在实际应用中避免各种精密仪器的损坏以及可以利用其特性在半导 体材料加工过程中对材料温度等参量进行更加精确控制。 本文考虑到载流子和晶格的热容、热导率、弛豫时间等热力学参数随温度非线性变化因素的影响，利用有 rim，500 限差分算法，数值求解了自相关热传导模型，详细讨论了2pm厚硅膜在波长775 fs脉冲激光辐照下。， 的升温规律。 1 理论模型 目前用来评估半导体材料损伤阈值的理论方法大致有以下两种：(1)单速率方程理论[‘】，考查的是导带中 的电子密度，当导带中电子密度超过某个临界值时，即认为熔融损伤已产生；(2)自相关模型[5]，同时考查的参 量有导带中电子密度、载流子温度和晶格温度，其用来评价损伤的参量可以是电子密度，也可以是晶格温度。 在处理超短脉冲激光辐照半导体材料的损伤问题时，J．K．Chen等人在统计力学的理论基础上并结合H． M，Van 导体材料中载流子和能量输运过程的自相关模型[7-83。该模型描述了电子一空穴载流子浓度，电流、二极能量流 以及载流子和基于Boltzmann方程近似弛豫时间的晶格温度。其热传导自相关模型的非线性方程为 。十搬一V。J u’(1) ial,l：a下I(z,t)+色≥手盟一yns+钡一v．7 瓦2—1：厂一十‘1瓦_一 c曲号≯=(a