电子技术基础与应用.pptVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
项目一 认识常用的半导体器件 项目一认识常用的半导体器件 任务一 半导体的基本知识 任务二 PN结及其单向导电性 任务三 半导体二极管 任务四 晶体三极管 任务一 半导体的基本知识 任务一 半导体的基本知识 知识一 导体、半导体、绝缘体 知识二 本征半导体 知识三 杂质半导体 硅和锗原子结构示意图 a)原子结构示意图 b) 简化模型 硅单晶体共价键结构示意图 本征激发产生空穴—电子对 电子和空穴的移动 1、自由电子 + 2、空穴 – 本征半导体导电能力很差! N型 、P型半导体中的共价键结构 N型半导体简化结构示意图 PN结示意图 知识二 PN结的单向导电性 外加正向电压PN结导通 外加反向电压PN结截止 半导体二极管外型 观察玻璃壳内触丝。对于点接触二极管,如果标记已模糊不清,可以将外壳上的黑色或白色漆层轻轻刮起掉一点,透过玻璃观察二极管的内部结构,有金属触丝的一端就是正极。 将万用表置于R×100或R×1K挡,先用红、黑表笔任意测量二极管两端子间的电阻值,然后交换表笔再测量一次,如果二极管是好的,两次测量结果必定出现一大一小。以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。 光电(敏)二极管 光敏二极管 三极管的外形 NPN型三极管 a)结构示意图 b)符号 开关二极管 任务四 晶体三极管 任务目标: 1.掌握三极管的结构和分类。 2.了解三极管电流放大作用原理。 3. 掌握三极管的型号了解其主要参数。 4.掌握晶体三极管外型识别方法 5.掌握三极管简易检测方法。 任务四 晶体三极管 知识1 三极管的结构和分类 知识2 三极管的电流放大作用 知识3 三极管的型号和主要参数 知识4 三极管的伏安特性曲线 知识5 晶体三极管的工作状态 知识6 常用晶体三极管的外形识别 知识7 用指针式万用表判断晶体三极 管好坏及辨别三极管的c、b 、e电极 知识1 三极管的结构和类型 一、结构和分类 1.结构 通过一定的制作工艺,在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成三层半导体,从三层半导体上引出三个电极,经过封装就成为三极管。 a)大功率三极管 b)金属封装 c)塑料封装 c 集电极 N 集电区 P基区 N 发射区 发射极 e 集电结 发射结 b 基极 a) c b e b) c 集电极 P 集电区 N基区 P 发射区 发射极 e 集电结 发射结 b 基极 c) c b e d) PNP型三极管 c)结构示意图d)符号 三极管制作时有以下工艺要求: ⑴发射区掺杂浓度要很大,以利于向基区发射很多的载流子。 ⑵基区非常薄,其掺杂浓度比发射区要小很多很多,以利于载流子通过。 ⑶集电区掺杂浓度要小,体积比发射区大,便于收集载流子和散热。 三极管分类 ①按内部结构分为:NPN型和PNP型 ②按设计结构分为 : 点接触型、面接触 ③按工作频率分为 : 高频管、低频管、开关管。 ④按功率大小分为 : 大功率、中功率、小功率。 ⑤按封装形式分为 : 金属封装、塑料封装。 三极管的电流放大作用 a)大型金属封状 b)塑料封装 c)玻璃封装 2.二极管分类 3)按用途不同分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管、肖特基二极管等。 1)二极管按所用的半导体材料不同分为硅管和锗管 2)二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 a)点接触型 b)面接触型 c)平面型 知识二 二极管的伏安特性 分为: 正向特性 反向特性(分为反向截止和反向击穿) 图1.16二极管的伏安特性 a) 伏安特性示意图 b)硅二极管的伏安特性 c)锗二极管的伏安特性 a) b) c) 死区电压最大值叫门限电压,用表示。一般硅二极管的约0.5伏,锗二极管的约0.1伏。 硅二极管的正向导通压降为0.7伏左右,锗管为0.3伏左右。 0 iD(mA) 900C 200C 200C 900C uD(V) 温度对二极管特性的影响 当温度升高时,正向特性曲线左移,反向特性曲线向下移。 参量管 光电器件 阻尼管 半导体特殊器件 C U N BT 普通管 整流管 稳压管 开关管 整流堆 P Z W K L N型锗材料 P型锗材料 N型硅材料 P型硅材料 化合物 A B C D E 二极管 2 反映二极管承受反向击穿电压的高低,如A、B、C、D…其中A承受的反向击

文档评论(0)

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档