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LED的封装、检测与应用 外延片的制造工艺 外延片的制造工艺 外延片的结构以及制造流程 1、Al2O3-GaN外延片结构 2、外延片制造的基本流程 外延片的制造工艺 1、Al2O3-GaN外延片结构 外延片的制造工艺 2、外延片制造的基本流程 外延片的制造工艺 衬底的制备 1、衬底材料 2、衬底的制备工艺 外延片的制造工艺 1、衬底材料 外延片的制造工艺 2、衬底的制备工艺（以Al2O3衬底为例） 外延片的制造工艺 （1）单晶生长（直拉法） 所需原料：籽晶，高纯氧化铝粉； 设备：单晶炉 流程：坩埚热处理——装炉——抽真空——熔料——恒温——充气—— 引晶——放肩——等径——收尾——降温——出炉 外延片的制造工艺 高纯氧化铝粉料压制成直径略小于坩埚内径的圆柱状料块，在1273度以上烧结；碎晶料应利用超声波仔细清洗，置于坩埚内。整个系统密封后抽真空至10-3Pa，升温至熔点温度。 2323度以上进行化料，保温2-5小时，以确保原料完全熔化，熔体内的气泡完全驱除。温场稳定后，下降籽晶使其末端与液面接触，通过一定的工艺措施控制晶体生长的引晶、放肩、等径、收尾和退火及冷却过程，实现晶体生长。 ? 待晶体直径长到所需尺寸，通过一定的工艺控制晶体开始等径生长，晶体进入等径生长阶段后，主要是通过降低加热温度（加热系统所能提供的坩埚外壁温度）促使晶体生长。 纯的氧化铝单晶体就是通常所说的蓝宝石。其实它并不是蓝颜色的宝石，它是无色透明的，所以也有叫白宝石的。真正的蓝宝石是掺钛的。 坩埚底部正中央放着一块蓝宝石籽晶，坩埚和热交换器都放在真空石墨加热 炉中。当原料熔化后，通过缓慢降低炉温和控制氦气的流量，就能在籽晶上 长成大块的蓝宝石单晶体。使用这种方法可以得到质量很好的直径达 30 厘 米，厚度为 12 厘米的蓝宝石单晶体。 用来制作工业用的晶体的技术之一，是从熔液中生长。籽晶可用来促进单晶体的形成。在这个工序里，籽晶降落到装有熔融物质的容器中。籽晶周围的熔液冷却，它的分子就依附在籽晶上。这些新的晶体分子承接籽晶的取向，形成了一个大的单晶体。 籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，200毫米晶圆晶体重约204kg，三天时间生长。 外延片的制造工艺 （2） 晶棒加工 用锯子截掉头尾，并进行直径滚磨。 （3） 切片 晶棒长成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。 外延片的制造工艺 （4）研磨 目的：为了消除加工中引起的机械损伤，以及除去切割留下的划痕及表面损伤层，达到预定的厚度及随之可进行抛光的良好表面。 首先对蓝宝石单晶衬底片进行了化学处理，化学处理的温度和时间选择同样是重要的，实验结果表明，在3000C、硫酸磷酸混酸处理5分钟即可，以消除机械损伤。 然后进行研磨。研磨是单晶衬底片加工的第二道主要工序，整个工序是从粗磨到细磨渐进过程，研磨是使用不同粒度磨料分步完成的，磨盘的转速及磨盘与磨沱相对运动方向，对于研磨也有影响控制不好易出划道。因此必须注意合理选择磨料的级配，适当的压力和转速，掌握磨料的浓度等，研磨超薄衬底片尤为重要。 外延片的制造工艺 （5）抛光 GaN蓝光器件用衬底片表面要求较高，村底片表面抛光是衬底制备的关键，蓝宝石衬底片的抛光是化学一机械过程，使用的是二氧化硅抛光液，蓝宝石的二氧化硅抛光是借助三氧化二铝和二氧化硅的化学反应形成易除去的Al2Si2O7来完成的，其化学反应式如下: A12O3 +2SiO2 +2H20——Al2Si207+2H20 蓝宝石衬底在用二氧化硅胶体抛光过程中，抛光室内的温度也很重要不得低于160C。通过多次实验证明在精磨基础上先后使用两种不同材质布进行抛光表面效果最佳。 外延片的制造工艺 （6）检验 抛光表面在600倍显微镜下观察无划痕，亮点、桔皮等缺陷，平行度好 、平面度小，表面光洁度3到4级，经X光双晶衍射测量摆动曲线半峰宽小于 30秒。 外延片的制造工艺 MOCVD生长 MOCVD生长即在衬底表面通过化学反应生长沉积物，从而形 成不同材料的薄膜型结构。 MO源：三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)、 二茂镁(C02Mg)； Carrier：H2、N2； 反应气体：NH3 外延片的制造工艺 生长流程： 外延片的制造工艺 MOCVD组成