GEC-CCP发生器内等离子体流动的数值分析.pdfVIP

LHD 2012 年度夏季学术研讨会 GEC-CCP 发生器内等离子体流动的数值分析 1 2 1 杨弼杰 ， 周宁 ，孙泉华 1 中国科学院力学研究所，高温气体动力学国家重点实验室（筹），北京海淀区 100190 2 中微半导体设备（上海）有限公司，上海浦东区 201201 摘要 本文对 GEC-CCP 发生器内氩气的流动和放电过程进行了数值模拟。计算采用流体模型，考虑 了热非平衡和化学非平衡过程，强调了流动对气体放电过程的影响，并与实验结果进行了对比。研 究表明，该模型能较好地描述等离子体实际流动和放电过程。此外，合理的物性参数和化学反应机 理是正确模拟非平衡等离子体流动的基础，特别是物理化学模型对电子数密度的数值及分布的预测 有较大的影响。 关键词 低温等离子体，非平衡流动，CFD 模型，氩气放电 引 言 温等离子体流动的数值模拟，侧重于等离子体 本身的物理化学过程，而对流动的分析和讨论 低温等离子体技术广泛应用于半导体制造 不足。 业和航空航天领域。前者主要涉及材料表面的 本文针对低气压下氩气在电容耦合式 刻蚀和物质的气相沉积，如该技术已在超大规 （ CCP ）发生器中的放电过程，具体选择了 模集成电路的生产中起着不可替代的作用；后 GEC-CCP 发生器的一个标模，运用流体模型对 者主要应用于各种方式的电推进技术，以实现 等离子体流动进行数值模拟。模拟时考虑了电 卫星的姿态调整和航天飞行器的星际航行。尽 子和重粒子之间的热非平衡现象以及化学组元 管等离子体物理的学科已经比较成熟且低温等 之间的化学非平衡效应，并通过与实验结果的 离子体技术得到了大量应用，但是低温等离子 比较，考察目前模型对低温等离子体数值模拟 体流动涉及流动传热、电化学反应、电磁效应 的可靠性。此外，初步探讨了物性参数、化学 等多物理过程，不同工况下的流动呈现出相异 反应机理等对低温等离子体流动的影响。 的特点，还有电子与重粒子之间的物性差别明 显，且流场内的压力、温度的变化范围较大。 1 问题描述 这些特点造成对等离子体流动细节认识上的困 GEC-CCP 发生器是 1989 年由美国若干个 难。从另一方面可以认为，对低温等离子体流 科研机构共同提出的一个标准模型，图 1 为该 动的了解程度决定了低温等离子体技术的应用 发生器的几何外形，与 Overzert 和 Hopkins[12] 深度和广度。 的实验设备一致。如图所示，GEC-CCP 采用电 国外对低温等离子体流动的模拟研究起步