半导体三极管及其放大电路.pptVIP

温度升高 UBE减小 ICBO增大 β增大 IC增大 4.4 放大电路工作点的稳定 4.1.1 温度对工作点的影响 条件：I2IB，则 与温度基本无关。 调节过程： 4.4.2 基极分压式射极偏置电路 （1）静态分析 （2）动态分析 例：图示电路（接CE），已知UCC=12V，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=3kΩ，β=50。试估算静态工作点，并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 解：（1）用估算法计算静态工作点 （2）求电压放大倍数 （3）求输入电阻和输出电阻 4.5 共集电极电路和共基极电路 4.5.1 共集电极电路 ①求电压放大倍数 ②求输入电阻 ③求输出电阻 * 模拟电子技术基础 物理系 毛自娟 贵州黔西南民族师范高等专科学校 第四章 半导体三极管及其放大电路 半导体三极管的结构、伏安特性、电流分配关系 放大电路的基本分析方法、三种基本组态 学习重点 4.1 半导体三极管 4.2 共发射极基本放大电路 4.3 放大电路的基本分析方法 4.4 放大电路工作点的稳定 4.5 共集电极和共基极电路 4.6 多极放大电路 4.7 放大电路的频率响应 学习内容 4.1 半导体三极管 4.1.1 三极管的结构 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管，简称晶体管或三极管。 两个PN结，把半导体分成三个区域。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型和PNP型。 NPN型 PNP型 箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向 4.1.2 三极管内部载流子的传输过程 一、产生放大作用的条件 内部：a）发射区杂质浓度基区集电区 b）基区很薄 外部：发射结正偏，集电结反偏 二、三极管内部载流子的传输过程 1.发射区向基区注入电子，形成发射极电流 iE 2.电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流 iB 3.集电区收集扩散过来的电子，形成集电极电流 iC 三、电流分配关系： iE = iC + iB 实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有。IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。 4.1.3 三极管的电流分配关系 4.1.4 三极管的特性曲线 1．NPN管共发射极特性曲线 (1)共发射极输入特性曲线 (2)共发射极输出特性曲线 a.放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置 b.截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置 c.饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置 此时 2．温度对三极管特性的影响 （1）温度对uBE的影响 （2）温度对ICBO的影响 （3）温度对β的影响 1、电流放大系数β：iC= β iB 2、极间反向电流iCBO、iCEO：iCEO=（1+ β ）iCBO 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流 ICM：?下降到额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。 （2）反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间的最大允许电压。 （3）集电极最大允许功耗PCM 。 4.1.5 三极管的主要参数 4.2 共发射极基本放大电路 4.2.1 放大电路的组成 （1）晶体管V。放大元件，用基极电流iB控制集电极电流iC。 （2）电源UCC和UBB。使晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管处在放大状态，同时也是放大电路的能量来源，提供电流iB和iC。UCC一般在几伏到十几伏之间。 （3）偏置电阻RB。用来调节基极偏置电流IB，使晶体管有一个合适的工作点，一般为几十千欧到几百千欧。 （4）集电极负载电阻RC。将集电极电流iC的变化转换为电压的变化，以获得电压放大，一般为几千欧。 （5）电容Cl、C2。用来传递交流信号，起到耦合的作用。同时，又使放大电路和信号源及负载间直流相隔离，起隔直作用。为了减小传递信号的电压损失，Cl、C2应选得足够大，一般为几微法至几十微法，通常采用电解电容器。 共发射极放大电路的实用电路 静态是指无交流信号输入时，电路中的电流、电压都不变的状态，静态时三极管各极电流和电压值称为静态工作点Q（主要指IBQ、ICQ和UCEQ）。静态分析主要是确定放大电路中的静态值IBQ、ICQ和UCEQ。 直流通路：耦合电容可视为开路。 4.2.2 放大电路的两种工作状态 4.3.1 图解法 4.3 放大电路的基体分析方法 图解