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用基区电荷分布图说明 当输入 发射结由：反偏→正偏所需时间 td 正向偏压 基极驱动电流 发射区扩散到基区电子数 集电极收集的电子数 由小到大变化 当基区的电子浓度增加到 4 时： 发射结正偏后： 集电极电流达到临界饱和：ICS 基区中电子积累所需时间：t r 三极管由截止进入饱和过程： 电子浓度 临饱 放大 正偏 IB≥IBS 时，发射结发射有余，集电极收集不足。过剩电子在基区积累，如 4→5。这段时间就是存储时间 t s 当i b继续增加： 电子浓度 分析输入信号由： 希望基极驱动电流i b 1很大，加速三极管由截止向饱和转变，缩短上升时间t r ，减少延迟时间，提高工作速度。 虽然i b1增加带来td、 t r 减小。同时也会使 t s 增加。要求驱动电流不是常数，而是前大后小，前大加速建立，后小不过分饱和。 正偏 放大 临饱 深饱 电子浓度 当输入 三极管由饱和进入截止过程： 由于基区电子不能立即消失，T 仍然饱和，其转变过程是：随正偏压的减小，基区存储的电子逐渐减小。5→4区间中电子积累从深饱和→浅饱和→临界饱和→放大→截止。 分析输入信号由： 希望基极驱散电流i b 2很大,加速三极管由饱和向截止状态转变。 同样i b2增加带来t f 减小。同时也会使 t d 增加。即：三极管截止时，反偏电压越大，转向正偏时间越长。因此，要求驱动电流也不是常数，而是前大后小，前大快速驱散，后小不过分截止。 深饱 临饱 放大 正偏 结论： 把三极管由截止→饱和的基极电流i b1叫做正向驱动电流。 把三极管由饱和→截止的基极电流i b2叫做反向驱散电流。 这样一个前大后小的基极驱动电流很难选取。但可以利用电容C上的电压不能突变的特性，近似实现。这个电容叫做加速电容。 RC VCC R1 vi vo RS C1 R1、R2、外加负偏压－VBB及Vi 共同决定三极管工作状态，保证三极管在开关方波的作用下可靠工作于饱和、截止两种状态。 那么如何保证三极管可靠工作？就依靠合理选择基极偏置电阻来保证。（设计问题） 当Vi = 0 时： 希望T截止先假设T止再看是否止 画截止等效电路 ≤ - 1V 三极管截止条件：V be≤0 令：V be≤－1V T 可靠截止 当V i = E 时： 希望T饱和，先假设T饱和再判是否饱和 画饱和等效电路 三极管截止条件：i b ≥ IBS 0 E RC VCC R1 vi vo R2 -VBB C1 R1 R2 VBB b e + ? R1 R2 VBB b e + ? + ? E i b i 1 i 2 即： 三极管一定饱和。 元件选择： T: 先选择开关管，再根据手册给出ICM确定RC。 VCC、－VBB 根据工作条件确定。 C1根据开关管截至频率确定。 反相器的优点： 输出振幅比较大，饱和时 VO ≈ 0 。 截止时，VO ≈ VCC 。 三极管饱和时，V c e s = 0.3V 所以功耗小。 对β的一致性要求底，只要满足 CO 反相器的基本功能是将输入信号反相输出，输出信号应保持与输入信号形状一致，但由于三极管本身存在：开关时间、分布电容及寄生电容的影响，使输出波形产生一定畸变，只能采取措施，使这种畸变尽可能减小至容许范围之内。 常用方法： 采用加速电容，增加钳位二极管。 VCL:钳位电压， VCL VCC DCL：钳位二极管。 CO :输出端分布电容及负载电容之和。 当：Vi = VIL T 止，DCL导，VO=VCL VCC以τ＝RCCO向CO充电 负载变化，稳定输出。 当：Vi = VIH T饱和，CO 放电,τ= r CES CO 由于RC ? r CES CO 快速放电。 DCL对下降沿影响小。 当：Vi 从 T由饱和变为截至，由于电容上的电压不能突变，又以大时常数RCO充电，充电速度比较慢。当充至VO≥VCL,DCL导通。VO被钳位于VCL VCL VCC C1 R1 R2 -VBB RC DCL I V 反相器负载有两种情况： 流进反相器的电流叫灌流负载。记做 i OI 流出反相器的电流叫拉流负载。记做 i op 如何衡量反相器带负载能力？ 反相器在正常工作条件下： 饱和状态：VO = 0.3V,反相器所允许最大灌电流IOCM是多少？ 截止状态：VO = V CL，反相器所允许最大拉电流IOPM是多少？ 三极管饱和时： VO= V c e s=0.3V, D CL 止，i DC