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N G S D UDS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 P P 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID UGS N G S D UDS UGSVp UGD=VP时 P P 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID UGS N G S D UDS UGSVp UGD=VP时 P P 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID UGS UGS 0 ID IDSS VP 三、特性曲线 转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 输出特性曲线 UDS 0 ID IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电压 某一VGS下 予夹断曲线 UGS=0V -2V -1V -3V -4V -5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 ID U DS 0 非饱和区： 是VGS=0时， VGD= VGS(off)的漏极电流 当VDS很小时，相当于一个线性电阻 饱和区： 截止区和击穿区的特性与mos管的特性相同 等效电路与mos的电路相同 P沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP 输出特性曲线 P沟道结型场效应管的特性曲线 予夹断曲线 ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 0 * * 第三章 场效应管 模拟电子技术基础 场效应管是利用电场效应来控制电流大小，与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: 引言： §3.1 金属-氧化物-半导体场效应管 一、 N沟道增强型 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 1、结构和电路符号 N P P G S D G S D P 沟道增强型 2、MOS管的工作原理 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间总有一个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSVGS(Th)）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 VT称为阈值电压 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID UDS增加，UGD=VGS(Th) 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 B VGS=const VDS iD VGS-VGS(TH) 预夹断后，夹断点向源极方向移动，沟道的长度略有减小，相应的沟道电阻略有减小，结果漏极电路稍有增大。 3、增强型N沟道MOS管的特性曲线 ID U DS 0 UGS0 输出特性曲线 非饱和区 饱和区 截止区 0 ID UGS VT 转移特性曲线 4、关于输出特性曲线的进一步讨论 非饱和区 当VDS很小时 饱和区 ID(VGS） ID G S D 截止区和亚阈区 当工作在截止区时，即VgsVGS(th)时，沟道未形成，因而ID=0。实际上，VgsVGS(th)时，ID不会突变到零。不过其值很小(uA量级)，一般可忽略不计。但是在某些应用场合，为了延长电池寿命，工作电流取得很小，管子进入VGS(th)附近很小的区域内(±100mV)。通常将这个工作区称为亚阈区或弱反型层区，在这个工作区内，ID与VGS之间服从指数规律变化，类似于晶体三极管。 在集成电路中，许多MOS管都制作在同一衬底上，为了保证衬底与源、漏区之间的PN结反偏，衬底必须接在电路的最低电位上。 衬底效应 若某些MOS管的源极不能处在电路的最低电位上，则其源极与衬底极不能相连，其间就会作用着负值的电压VUS,在负值衬底电压VUS作用下，P型硅衬底中的空间电荷区将向衬底底部扩展，空间电荷区中的负离子数增多。 可见， VUS和VGS一样，也具有对ID的控制作用，故又称衬底电极为背栅极，不过它的控制作用远比VGS小。 实际上， VUS对ID的影响集中反映在对VGS(th)的影响上。 VUS向负值方向增大， VGS(th)也就相应增大。因而，在VGS一定时， ID就减小。 但是由于VGS不变，即栅极上的正电荷量不变，因而反型层中的自由电子数就必然减小，从而引起沟道电阻增大，ID减小。 N 沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导电沟道