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 §1.1 半导体的基本知识 1.半导体中有两种载流子： 自由电子，带负电荷; 空穴，带正电荷 2.半导体中的载流子有两种运动形式： 扩散和漂移 3.本征半导体中的载流子浓度： §1.2　PN结 1、PN结的形成 多数载流子的扩散形成。 耗尽层形成内电场，一方面阻止多子扩散， 另一方面有利少子漂移。最后达到平衡。 2、PN结的基本特性---单向导电性 正偏时电阻小，PN结导通。反偏时电阻大，PN结截止。 3、PN结的反向击穿：高于7V雪崩击穿；低于4V齐纳击穿； 热击穿 4、PN结的电容效应： 势垒电容；扩散电容；结电容。 5、 PN结的温度效应： 反向特性：温度升高10?C，IS增加一倍。正向特性：dU/dT=-2.5mV/°C 反向击穿特性:高于7V雪崩击穿，正温度系数 低于4V齐纳击穿，负温度系数 最高结温：硅150--200 ?C，锗70--100 ?C §1.3 半导体二极管 一、半导体二极管结构和类型 二、二极管的伏安特性 三、二极管的主要参数 四、二极管的等效电路 五、特殊二极管 六、二极管的应用 七、二极管的命名法 一、半导体二极管结构和类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如下图（a）、（b）、（c）所示。 二、半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性曲线如图所示。 (1) 正向特性 当u＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当0＜ u ＜Uon时，正向电流为零， Uon称为死区电压或开启电压。 当u ＞ Uon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Uon =0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Uon =0.1 V左右。 (2) 反向特性 当u ＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当UBR＜ u ＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 当u UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 三、二极管的主要参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、最高反向工作电压UR、反向电流IR、最高工作频率fM等。 (1) 最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允 许通过二极管的最大整流电流的平均值。 (2) 最高反向工作电压UR——在实际工作时，二极管 允许加的最高电压，一般只按反向击穿电压UBR 的一半计算。 三、二极管的主要参数 (3) 反向电流IR——指二极管未击穿时的的反向电流 值。与温度有关。硅二极管的反向电流一般在 纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 (4)最高工作频率fM——主要由PN结的结电容大小 决定。 注意： (1)参数的离散性 (2)参数的测试条件 四、二极管的等效电路 二极管是非线形元件，为分析计算方便，常作线形化处理。 1、理想二极管 2、理想二极管串联电压源 3、折线等效电路 4、微变等效电路 1、理想二极管 理想二极管就是正向偏置时电压降为零，反向偏置时电流为零。 等效条件：①二极管的正向压降远小于和它串联的电压，②反向电流远小于和它并联的电流。 特性曲线和电路符号如下： 2、理想二极管串联电压源 二极管导通后有一定的管压降，硅管为Uon=0.7V, 锗管为Uon=0.3V。 特性和电路符号如下： 3、折线等效电路 当二极管的端电压小于导通电压Uon时，电流为零，超过导通电压后用斜线来近似。如图所示： Rd(on)=?U/?I 注意：此时的Uon与前一种不 同。 以上三种都是大信号模型。 4、微变等效电路 微变等效电路是小信号模型。是指二极管的端电压或电流在某一固定值附近作微小变化时的模型。 五、特殊二极管 1. 稳压二极管 2. 光敏二极管 3. 发光二极管 4. 变容二极管 1. 稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极