三极管基本放大电路-.pptVIP

第三章半导体三极管及放大电路 武汉理工大学 信息工程学院 电子技术基础课程组 3 半导体三极管及放大电路 3.1 半导体BJT 3.2 共射极放大电路 3.3 估算法与图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应 3 半导体三极管及放大电路 主要内容 本章是本课程最重要的内容，因为模拟电路基础是放大电路。 1、半导体三极管的工作原理、电流分配关系、特性曲线为学习放大电路打好基础。 2、放大电路的组成。重点介绍了放大电路的分析方法 先静后动 a、静态分析——估算法、图解分析法求 Q点 b、动态分析——动态分析法图解法、小信号模型法求AVRiRo 3、分析三种放大电路，共射、共集，共基。并对三种电路进行比较。 4、放大电路的重要指标——频率响应和带宽。 3 半导体三极管及放大电路 上次课小结 二极管 PN结 单向导电性 正偏外加电场削弱了内电场、有利于多子的扩散，不利于少子的漂移； 反偏外加电场加强了内电场的作用，使漂移加快。 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1.1 简介 1、结构：由两个相互联系的 PN结构成，其中一个称为发射结，一个称为集电结；两个PN结将一个三极管划为三个区域；各引出一个引脚。Bipolar Junction Transistor 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1.1 简介 1、结构 2、符号 3.1 半导体三极管（BJT） 同样将半导体材料另行组合，二块P，一块N，构成三极管，它也有两个PN结，两个PN结将三极管同样分为三个区，发射区、基区、集电区，称它为PNP三极管. 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1.2 三极管电流分配与放大原理 1. 放大的条件 为保证三极管能放大需满足内部和外部条件 1). BJT放大的内部条件 a.发射区的掺杂浓度最高； b.基区参杂很低，且基区很薄。 2). BJT放大的外部条件 发射结正偏，集电结反偏，这是安排放大电路的基本原则 3.1 半导体三极管（BJT） 2. 载流子的传输过程 三极管的放大作用是通过载流子的传输体现，以NPN为例，整个载流子的传输分三步： ①发射区向基区注入电子； ②电子在基区传输; ③集电区收集电子。 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1 半导体三极管（BJT） 2. 载流子的传输过程 1）发射区向基区注入电子 发射结正偏，有利于多子的扩散运动。发射结大量的多子电子扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区。 电子形成的电流IE 其方向与电子流动方向相反。 3.1 半导体三极管（BJT） 2. 载流子的传输过程 2）电子在基区传输——电子在基区的扩散与复合 发射区电子注入基区后，在发射结边界积累起来，基区内有电子的浓度差，产生扩散运动，电子向集电结的方向扩散。在扩散同时有可能与基区空穴复合，这部分复合电子流形成了基极电流。 有多少电子被复合呢？基区做得很薄，使电子在基区中经过的路程很短，复合的载流子很少，大部分电子到达集电结 。 3.1 半导体三极管（BJT） 2. 载流子的传输过程 3）集电结收集电子 集电结反偏，加剧少子的漂移，阻止了多子扩散。在基区中来不及复合的电子，被这个电场很快的扫向集电区为集电区所收集，形成集电极电流Ic，电流的方向与电子流的方向相反。 3.1 半导体三极管（BJT） 2. 载流子的传输过程——重复一遍 1）发射结正偏，有利于多子扩散阻止了少子漂移，发射区大量电子扩散到基区，使得靠近发射结一侧基区浓度很高； 2）基区很薄，大量的多子（电子）向集电结扩散，仅很少电子与空穴复合，形成基极电流IB； 3）集电结反偏，加速少子（电子）漂移，阻止多子扩散，使得基区中来不及 复合的电子被强电场拉到集电区，被集电区收集，形成电流IC 。 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1 半导体三极管（BJT） 4. 三极管放大电路的三种组态 共基极组态 输入是发射极，输出是集电极，基极是输入输出回路的共同端; 共射极组态 输入是基极，输出是集电极，发射极是输入输出回路的共同端; 共集电极组态 输入是基极，输出是发射极，集电极是输入输出回路的共同端。 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1 半导体三极管（BJT） 5. 放大作用-与共基电路 什么是放大？ 输入一个微弱的变化信号，能在输出端得到一个不失真的信号。 此放大电路是什么组态呢？它是共基组态——共基电路。 3.1 半导体三极管（BJT） 输入端——发射极电流为IE， 输出端——集电极电流为IC=αIEIE