三节TTL门电路.pptVIP

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第三节 TTL门电路 3.输入躁声容限 三、TTL反相器的静态输入、输出特性 四、TTL反相器的动态特性 2.交流噪声容限 3. 电源的动态尖峰电流 五、其他类型的TTL门电路 3. 三态输出门电路(TS)门 下页 上页 (3)与-或非门 返回 TTL与-或非门 下页 上页 (4)异或门 返回 TTL异或门 推拉式输出电路结构使用时有一定的局限性: a) 不能把它们的输出端并联使用。 b) 在采用推拉式输出级的门电路中, 电源一经确定,输出的高电平也就固定了, 因而无法满足对不同输出高低电平的需要。 c) 推拉式电路结构也不能满足驱动较大电流、 较高电压的负载的要求。 2. 集电极开路的门电路(OC门) 下页 上页 返回 下页 上页 为克服上述局限性, 输出级改为集电极开路的三极管结构。 工作时需外接负载电阻和电源 返回 集电极开路与非门 图形符号 下页 上页 线与 OC门输出并联的接法及逻辑图 返回 所有OC门同时截止时, 输出为高电平。 为保证高电平不低于规定的VOH值,RL取值应满足: 外接负载电阻RL的计算 下页 上页 返回 n m 计算OC门负载电阻最大值的工作状态 当OC门中只有一个导通时,负载电流全部都流入那个导通的OC门,RL值不可能太小,以确保流入导通OC门的电流不至超过最大的负载电流ILM 。 下页 上页 返回 计算OC门负载电阻最小值的工作状态 下页 上页 [例3.3.4] 为电阻RL选定合适的阻值。 G1、G2为OC门,IOH = 200μA,ILM = 16mA G3、G4 和G5为74系列,IIL=200mA,IIH= 40μA 要求OC门输出的VOH ≥ 3.0V,VOL ≤ 0.4V。 返回 n Y A B C D 例3.3.4的电路 下页 上页 选定的 RL值应在2.63kΩ 与0.35 kΩ 之间。 解: 返回 下页 上页 (1)控制端高电平有效 EN=1时 EN=0时,输出呈高阻态。 控制端 返回 D P EN Y A B EN 图形符号 TTL反相器的电路结构和工作原理 TTL反相器的静态输入、输出特性 TTL反相器的动态特性 其他类型的TTL门电路 TTL门电路的改进系列 半导体三极管的开关特性 下页 总目录 推出 下页 返回 上页 vBE VON 时三极管导通 vBE VON 时三极管截止 1. 三极管的输入特性 vBE + - iB O UBE/V iB/μA 实际特性 理想特性 VON 一、半导体三极管的开关特性 下页 返回 上页 饱和区:UCE很小 深度饱和时在0.3V以下 iC/mA O uCE/V iB=80μA 60 40 20 0 2. 三极管的输出特性 放大区 截止区:iC几乎为零 ICEO通常在1μA以下 放大区: iC随iB成正比地变化 几乎不受vCE变化的影响 vce + - ic vBE + - iB 下页 返回 上页 若参数选择合理 三极管截止时相当于开关断开,输出高电平; 三极管导通时相当于开关闭合,输出低电平。 3. 三极管的基本开关电路 vO + - iC RC RB vI + - VCC 下页 返回 上页 4. 三极管的开关等效电路 e b c 截止状态 e b c 饱和状态 相当于开关断开。 相当于开关闭和。 下页 返回 上页 T深度饱和 T截止 逻辑符号 为保证在输入低电平时, 三极管可靠截止, 接入了电阻R2和负电源VEE。 5. 三极管反相器 三极管非门(反相器) -VEE Vcc RC R1 Y (vo) T R2 A (vI) A Y 仿真 下页 返回 上页 [例3.3.1] : 下图所示反相器中,VCC= 5V,VEE = -8V, RC =1kΩ, R1 =3.3kΩ, R2 =10kΩ,三极管的β=20, 饱和压降UCES =0.1V, VIH =5V, VIL =0V, (1)计算输入高、低电平时对应的输出电平; (2)说明电路参数的设计是否合理。 -VEE Vcc RC R1 Y (vo) T R2 A (vI) 下页 返回 上页 解: 三极管非门电路的化简 vI R1 R2 b e VEE + - RB + - VB b e 下页 返回 上页 当 时 加在发射结上的是反向电压,三极管截止。 RB + - VB b e 返回 上页 三极管处于深度饱和状态。 当 时 可知电路参数设计合理 设: 电源电压 VCC = 5V 输入高电平VIH = 3.4V 输入低电平VIL = 0.2V 开启电压 VON = 0.7V 1.电路结构 起保护作用 反相器是TTL电路中电路结构最简单的一种。 因电路输入端和输出端均为三极管结构,所以称为三

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