硅基底上SiO2薄膜制备与光学性能.docVIP

硅基底上SiO2薄膜的制备与光学性能 杭凌侠1张霄1 周顺1 (1西安工业大学，陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室，陕西西安710032) Preparation of SiO2 Thin Films on Silicon Substrate and its Optical Properties HANG Ling-Xia1, ZHANG Xiao1,ZHOU Shun1, ( 1.Xi’an Technological University,Shanxi Province Thin Film Technology and Optical Test Open Key Laboratory,Xi’an 710032,China) Abstract：Using SiH4 and N2O as reacting gas, SiO2 thin film was successfully prepared on Silicon substrate by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). The range of PECVD technology parameters are : RF power 30 - 200 W, substrate temperature 200 - 350 ℃, deposition rate 162.19 - 231.45nm/min. The optical properties of the films were examined by Ellipsometer. The results show that a SiO2 thin film can be rapidly deposited by the PECVD technology and refractive index of the film can be controlled accurately. Key words: PECVD,SiO2 Thin Films,Optical Properties 摘要 以SiH4和N2O作为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积( PECVD) 技术,在单晶硅衬底上制备了二氧化硅光学薄膜。PECVD工艺参数范围是:射频功率为30～200W,基底背面温度为200～350℃,沉积速率为162.19～231.45nm/min。通过椭圆偏振仪作为测试手段，对影响薄膜质量的工艺参数和薄膜的光学性能进行了分析。结果表明,实验能够地快速生长二氧化硅光学薄膜,同时薄膜具有厚度及折射率精确可控的特点。 关键词：等离子体增强化学气相沉积，二氧化硅薄膜，薄膜光学特性 中图分类号：O484 文章标识码：A 文章编号： 目前，用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)制作SiO2单层介质膜以其优良的物理性能而广泛的应用在微电子领域[1-2]。由于SiO2薄膜具有较低的折射率、熔点高、膜层牢固、抗磨耐腐蚀、保护能力强、对光的散射吸收小等独特性能，因而也非常适合用作制备光学增透膜。但是目前,多数的SiO2光学薄膜的沉积大多是用PVD方法得到的[3-4]。研究表明，在多晶硅太阳能电池中运用PECVD方法沉积SiO2薄膜以其极好的光学特性和化学性能用来作为太阳能电池的减反射膜。因此,近年来采用PECVD技术制作SiO2作为太阳电池的光学减反射膜已经成为光伏界研究的热点[5-6]。 本文采用硅片作为薄膜沉积基底、SiH4和N2O作为反应气体，利用椭圆偏振仪的测量方法，研究了温度、射频功率、反应气压以及气体流量比等工艺参数对SiO2薄膜光学性能的影响。这些研究同时对于梯度折射率光学薄膜的研究也具有非常重要的指导意义[7-8]。 1 实验 试验设备使用的是日本SAMCO生产的PD-220型等离子增强化学气相沉积系统。它采用两圆型铝制平行平板作为上下电极。射频电源频率为13.56MHz，通过匹 配网耦合到上下极板上。样品采用电阻式加热，最高加热温度为400℃，均匀性较好；为了获得更均匀的气场，上极板采用淋浴头型多孔结构（单个孔径0.5mm）。试验中采用的两种主要得工艺气体分别为10%的硅烷(氩气稀释)和高纯N2O (99. 999%),使用单面抛光硅片数片最为沉积基底，于较低温度下(T≤350 ℃)在其表面制备二氧化硅薄膜。实验的工艺参数如表1所示。 2 实验结果与讨论 2.1 过程参量对沉积速率和薄膜折射率的影响 分别改变各薄膜生长工艺条件(基片加热温度、射频源输出功率以及反应压强) ,得到薄膜的沉积速率和折射率随各参量变化的趋势。实验中,被讨论的各个条件独立变化,维持其他工艺条件不变，气体流量比为N2O/SiH4=50/70(sccm)。