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线列式四室等离子体增强化学气相沉积系统 技术参数要求 中山大学太阳能系统研究所线列式四室PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 系统（以下简称“系统”）即等离子体增强化学气相沉积法镀膜设备主要用于非晶硅/单晶硅异质结（即HIT- Heterojunction with Intrinsic Thinlayer）太阳电池的研究，同时兼顾硅基薄膜太阳电池的研发以及氧化硅和氮化硅等钝化、减反射膜的制备。系统包括真空腔室系统、真空获得系统、气路系统、电源控制系统、自动控制系统、样品传输系统、循环冷却水系统、尾气处理系统、排风系统、报警系统等子系统。 一、用途 主要用于非晶硅/单晶硅异质结（即HIT- Heterojunction with Intrinsic Thin layer）太阳电池的研究，同时兼顾硅基薄膜太阳电池的研发以及氧化硅和氮化硅等钝化、减反射膜的制备。 二、主要技术指标 真空腔室系统 （1）设备结构及尺寸 由直线式排列的4个真空腔室组成，包括一个进样室和三个生长室（说明N \P\I室，以下合称“生长室”）。4个真空腔室采用方箱式结构和线列式布局，从左至右分别为进样室、N室（生长n型非晶硅及微晶硅薄膜、Si3N4薄膜和SiO2薄膜）、P室（生长p型非晶及微晶硅薄膜）和I室（生长本征非晶及微晶硅薄膜SiO2中的硅量子点）。 具体尺寸：长350×宽350×高350（里口mm）。长×宽350×高350（里口mm）。使用材料：真空室组件及配件全部采用优质304不锈钢材料制造，氩弧焊接。焊接完成后，生长室（包括抽气管道、连接法兰等）要进行内表面抛光处理。外表面做喷砂亚光处理。 观察窗与：每个腔室都设置装置。进样室设置观察窗，生长室设置观察窗和磁力转轴手动挡板。 开口与密封：进样室：采用侧开盖结构。需要对样品进行预烘烤的功能。设置样品仓，可一次装入5片样品。（备注：进样室内有样品仓，可一次装入5片样品。这个不是硬性要求，但是，最好有）。生长室：采用侧开盖结构。氟橡胶密封，密封要能达到高真空腔室密封的要求。 （2）电极 采用平行板型电容耦合辉光放电沉积薄膜。衬底（或样品）电极在上，RF电极（同时充当气体喷淋头）在下，两者组成平行板电极辉光放电机构。 衬底电极（上电极）：方形，尺寸为150mm×150mm，样品正面朝下放置，在样品下表面沉积薄膜。四周均匀分布有许多圆孔组成的反应气体抽气环，保证进气气流能均匀流过样品（或衬底）表面。莲蓬式气体喷淋头内有多层匀流板，使气流分布均匀。 RF电极（下电极）：方形，尺寸为150mm×150mm，作为喷淋头，与腔体及进气管路之间有良好的绝缘性能，能进行有效的高频绝缘。具有上下升降功能，RF电极与样品之间的距离从5mm－40mm连续可调。 样品托：配备多种规格尺寸的样品托，系统能够尺寸为125mm×125mm的方形样品直径4英寸（直径101.6mm）圆片、16mm×16mm、26mm×26mm、56mm×56mm、106mm×106mm、25.4mm×76.2mm（1英寸×3英寸，厚度1-1.2mm，即玻璃载玻片）等多种尺寸的样品上制备薄膜。有效沉积面积分别对应于120mm×120mm、直径96mm、10mm×10mm、20mm×20mm、50mm×50mm、100mm×100mm、19.4mm×70.2mm。125mm×125mm方形样品直径4英寸圆片25.4mm×76.2mm样品的样品托再各加工2个，共计6个；存放26mm×26mm、56mm×56mm106mm×106mm样品的样品托再各加工1个，共计3个；因此，总共加工16个样品托。 （3）要求： 衬底温度的片内均匀性控制在±3%以内。膜厚的片内均匀性控制在±3%以内。 真空获得及测量系统 包括真空抽气系统、工作气体抽气系统和真空测量系统。 （1）真空抽气系统 真空抽气系统配置三台分子泵、三台进口干泵和一台罗茨泵。具体分配如下：N室、P室和I室各配备一台分子泵，每台分子泵使用一台进口干泵作为前级。要保证三个生长室的极限真空达到6.0×10-6 Pa。工作气体的排出采用罗茨泵+进口干泵抽气。工作气体抽气系统与生长室之间有转接阀门，可只对单个生长室（或N室或P室或I室）抽气。共用情况：(a) N室和进样室共用一套分子泵+进口干泵进行抽气。(b)作为P室分子泵前级的进口干泵还通过转接阀门与罗茨泵相连，负责抽除工作废气。 极限真空：进样室：6.0×10-4 Pa。 生长室：6.0×10-6 Pa。 系统抽速：三个生长室从大气开始抽气，在40分钟内真空度≤5×10-4Pa。a·L/s；停泵关机12小时后，测量三个生长室a。 （2）工作气体抽气系统 采用罗茨泵+进口干泵抽气。系