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磁致伸缩的大小与外磁场的大小有关 饱和磁化状态下的磁致伸缩系数?s作为磁性材料的一个磁性参数。不同的材料的磁致伸缩系数?s也是不同的： ?s＞0的称为正磁致伸缩——正磁致伸缩是指沿磁场方向伸长，而垂直于磁场方向缩短，例如铁就是属于这一类。 ?s＜0的则称为负磁致伸缩。负磁致伸缩则是沿场磁化方向缩短，在垂直于磁化方向伸长，镍属于这一类。 将（7－58）式简写成 （7－59） 1）当T?D时， Cv?3Nk 2） 当T?D时， 7.4.2 热传导理论 不同的物质:：金属、高分子、无机非金属 物质所处的不同状态：固态、液态和气态 结构上有差别，相应的导热能力也大不一样。 导热的机理当然也不相同。 共同的：所有物质的热传导，不管它处于什么状态都是由于物质内部微观粒子相互碰撞和传递的结果。 区域I和区域Ⅱ的平均宽度就是气体分子的平均自由程 气体、金属晶体以及介电体的导热机理都是不同微观粒子相互作用或碰撞的结果。 金属和无机材料导热系数数学表示式都具有相同的形式。 二、 电子导热机理 金属中的电子不受束缚，所以电子间的相互作用或碰撞是金属中导热的主要机制。即电子导热机构。 对于纯金属，电子对导热的贡献远远大于声子对导热的贡献。不过随着温度的降低在低温下声子导热对金属总的导热的贡献将略有增大。 半导体由于含有弱束缚的电子，电子导热机制对其也有贡献。 金属中电子导热的贡献也可表示为 （7－98） CV一单位体积电子的热容；V—电子的平均速度； L—电子的平均自由程。 1、电子导热与温度的关系 金属中电子导热随温度变化的关系，大体三个温度范围 (1)很低温度 电子运动的平均速度与温度无关，电子的平均自由程主要由晶体本身的位错等固有缺陷决定，可近似作常数处理；电子的热容与温度成正比。 很低温度下电子的导热系数随温度呈线性变化。 (2)中等温度 电子运动的平均速度仍为一常数 电子的热容 仍与温度成正比， 电子的平均自由程 由于温度升高和热运动加剧与温度成反比。 综合考虑了上面三个因素，在中等温度下电子的导热系数不随温度的变化而变化接近一常数。 实线曲线中比较平坦的一段。 (3)很高温度 电子运动的平均自由程 仍与温度成反比； 电子的热容 接近为一常数 由于电子的动能不再与温度无关，电子运动的平均速度 与温度的关系为 综合考虑了上面三个因素后，很高温度下电子的导热系数随着温度的增加而略有减小。 实线曲线最后的一段。 上面讨论的电子导热机构虽然是金属导热的主要机构， 但并不是唯一的机构。 金属总的导热系数中，晶格振动导热（即声子导热）也起一定作用。 金属的总的导热系数曲线是虚线部分。 比较实线和虚线： 在很低温度下，电子对导热系数的 贡献小，而晶格振动的格波或声子对 导热系数的贡献却相当显著。 因此在很低温度下，金属导体 导热能力方面的差别并不象中温和高温下那样明显。 对于不同的声子散射机构，无机非金属材料的导热系数随温度的变化规律以及平均自由程随频率?变化的规律己由许多学者进行研究。 德拜理论：一种晶体的热容量CV的特征完全由它的德拜温度确定，Θ值则可以由实验测定的热容量来确定。 晶体的不完整性、缺陷、晶粒间界、杂质等，这类声子散射机构对声子的影响也随温度不同而变化。 1）在较高温度下（室温以上） 由晶体不完整性等引起的声子散射与温度无关。 2）在很低温度下 声子间相互作用的散射机构对声子平均自由程的影响迅速减弱，而晶体不完整性、缺陷等引起的这类散射机构则直接影响和决定值的大小。 处于温度T的黑体每单位体积的能量 升高辐射温度的能量相对应的体积热容 ?—斯蒂芬.玻尔兹曼常数(5.73J／cm·s·K4); C—光速(3×108m／s)； n－折射率 辐射速度 光子导热 1、温度对晶体的导热系数的影响 1）平均自由程 低温时给定晶体 的 l值的上限约等于晶粒直径的大小。 随着温度的升高,l 值逐渐减小，一直到很高温度时，l 值趋向常数，约等于几个晶格间距d（下限值）。 导热系数值的大小虽与温度有关，稳度的影响范围上限和下限值之间。当 达到下限值时，即使再升高温度，也不再减小，当 达到上限值时，即使再降低温度，也不再增大。 因此晶体声子的平均自由程