第六章 材料现代分析测试方法5-原子核环境研究.pptVIP

三、化学位移 穆斯堡尔谱线中心位置相对于速度为零的位移，称为化学位移，也称同质异能移位（用δ表示）（见下右图），是由核电荷与核外电子电荷相互作用引起的。 由于原子核在基态和激发态的核半径Rg和Re通常不同，发射体和吸收体在核处电子的电荷密度分布不完全相同。 外层的S层电子密度将对δ产生直接影响，S层电子增加，核处电子电荷密度增大。 而p、d、f层电子电荷的作用只对δ产生间接的影响，由于它们对S层电子起着屏蔽作用，随着p、d、f层电子电荷密度的增加，核处的电子密度反而减小。 材料的成分、结构、键合性质、有序化和原子偏聚等都会对核处的电子电荷密度产生直接或间接的影响。 由于它们和核电荷间的相互作用引起的激发态和基态的能级不同的位移，导致了γ跃迁能的变化（见下左图）。 (a) (b) 图 吸收体核能级的跃迁与速度谱 (a) 核能级跃迁图 (b)同质异能移位示意图 反映在穆斯堡尔谱线的中心位置相对零速度（或相对参考速度）发生谱线位置的移动。 δ值直接反映了核外电子的配置状况，反映了价态和成键