第1章 常用半导体器件47795.pptVIP

1.3 双极型三极管( BJT) BJT分为NPN型与PNP型 e b c e b c NPN型 PNP型 N型集电区 集电结 N型发射区 1.3.1 NPN型BJT的结构 P型基区 发射结 c b e BJT结构特点 发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度 基区极薄，一般μm级 集电区面积大，一般杂质浓度也小于发射区杂质浓度 BJT为非对称结构 1.3.2 NPN型BJT的电流放大作用 1、工作在放大状态的外部条件 BJT的共发射极放大偏置——发射结正向偏置，集电结反向偏置 e c b N P N UBB UCC Rb Rc 放大偏置时，NPN型BJT的电压关系——UCEUBE=Uon 2、工作在放大状态时内部载流子运动和外电流 发射结正向偏置有利于多子扩散——发射区多子向基区扩散——外电路形成发射极电流IE e c b N P N UBB UCC Rb Rc IE 扩散到基区的自由电子与基区多子复合——外电路形成基极电流IBN 发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度且基区很薄——扩散到基区的自由电子只有极少部分与基区多子复合，IBN远小于IE 绝大多数扩散到基区的自由电子到达集电结边界 基区多子向发射区的扩散忽略不计 e c b N P N UBB UCC Rb Rc IE IBN 集电结反向偏置有利于少子漂移——基区非平衡少子(扩散到基区的自由电子)向集电区漂移——外电路形成集