表面活性剂-水热法一步制备纳米In_2O_3气敏材料.pdfVIP

第28卷 第6期 硅 酸 盐 通 报 V01_28 No．6 2009年 12月 BULLETIN 0F THE CHINESE CERAMIC S0CIETY December．2009 表面活性剂一水热法一步制备纳米 In2o3气敏材料 娄向东，李 培，王晓兵，秦 楠，王学峰 (河南师范大学化学与环境科学学院，新乡 453007) 摘要：以聚乙二醇600(PEG一600)为表面活性剂 ，用水热法一步制备了In0 粉体，通过 XRD、SEM、TEM等手段对 粉体的物相、形貌 、粒度等进行表征，结果表明产物的形貌为棒状 ，平均长度约 150nm，直径约20rim，分布均匀。采 用静态配气法测定材料的气敏性能，发现以InO 为基体的气敏元件在 125℃的工作温度下对 10ppmNO：气体的 灵敏度高达 32．2，并且具有选择性好、响应一恢复时间短等特性。 关键词：In，O；表面活性剂；水热法；气敏性质 中图分类号：TB383 文献标识码 ：A 文章编号：1001—1625(2009)06—1327—05 OneStep SynthesisofGasSensorM aterialNanosized In2o3bySurfactant—hydrothermalM ethod LOUXiang—dong，LIPei，WANGXiao—bing，QINNan，WANGXue-feng (CollegeofChemistryandEnvironmentalScience，HenanNormalUniversity，Xinxiang453007，China) Abstract：ThepreparationofIn2O3nano—powderusedone—step hydrothermalmethodwith PEG一600 as surfactant．Itssize，phaseandmorphologywereanalyzed byXRD，SEM andTEM．Thegassensing characteristicsofthematerialsweretestedinstaticslate．Theresultsshow thatthemorphologyofIn，O iS nanorodswithgooddispersity．Theaveragelengthoftheas—synthesizednanorodsreachesabout150nm ， andthewidthabout20nm ，givinganaspectratioofafew hundreds．Ithasahigh sensitivityashighas 32．2 to 10 ppm NO2 atlowerworking temperature 125 ℃ ． The sensor based on In2O3alsohas satisfactoryselectivity，quicklyresponseandrecovertimes． Keywords：In203；surfactant；hydrothermalmethod；gassensingcharacteristics 引 言 In，O 是一种N型半导体，主要缺陷有氧空位和间隙铟离子，具有较宽的禁带宽度 (3．6～3．75eV)。可 广泛用于光电领域，如太阳能电池、液晶设备、二极管 ¨等。因此 In，O 材料的制备和性能的研究逐渐引起 人们的重视 ，并成为气敏材料的研究热点。 纳米 InO 材料的制备方法通常有低压物理气相沉积法 、化学气相沉积 (CVD)法 、直流磁电管溅射 (DC)法 J、射频溅射法_5』、电子束放射法 j、沉淀法 l、溶剂热法 ]、碳热还原法 ]、溶胶凝胶法 、脉冲激 光沉积法…J、模板法 ¨引、微乳液法 13]、固相合成法 ¨等，但都存在颗粒的粒径分布较