掺杂浓度及掺杂层厚度对 Si 均匀掺杂的 GaAs 量子阱中电子态结构的影响.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 15 (2013) 157301 掺杂浓度及掺杂层厚度对Si 均匀掺杂的GaAs 量子 阱中电子态结构的影响 杨双波† ( 南京师范大学物理科学与技术学院, 南京 210046 ) ( 2013 年2 月27 日收到; 2013 年4 月17 日收到修改稿) 本文通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T 0, 有效质量近似下, Si 均匀掺杂的GaAs/AlGaAs 量子阱系统的电子态结构. 研究了掺杂浓度及掺杂层厚度对子带能量, 本征包络函数, 自洽势, 电子密度分布, 及费 米能量的影响. 发现在给定掺杂浓度下, 子带能量随掺杂层厚度的增加单调递减, 自洽势的势阱变宽变浅, 电子密度 分布变宽, 峰值变低; 在给定掺杂层厚度下, 随掺杂浓度的增加子带能量及费米能级单调递增, 自洽势阱变深变陡变 窄, 电子密度分布的峰值变高, 集中在中心. 关键词: 掺杂, 量子