SmCo及SmCo%2fTbDyFe薄膜制备与研究.pdf

旦堕型垫厶兰堑茎尘堕兰垡垒塞 一 ． 一． 摘 要 期提高TbDyFe薄膜的磁致伸缩性能尤其是在低磁场下的磁致伸缩性能。 通过正交试验法得到了实验条件下镀制SmCo薄膜最佳的工艺参数：靶一基距6cm、功 率80W、Ar气压强1．1Pa。研究了薄膜成分、厚度以及退火热处理对SmCo薄膜磁性能的 薄膜为非晶态结构，矫顽力￡出随着薄膜厚度的增加而减小，剩磁比Mr／Ms随膜厚增加而 减小，磁化机制由畴壁钉扎类模型转为形核类模型。 完善了薄膜磁致伸缩系数测量结果的处理程序，研究了磁致伸缩薄膜在外场作用I?薄 膜弹性模量的变化对磁致伸缩值的影响，使测量得到的数据可靠性提高，数据的处理结果 更符合实际。jL夕。一’ 研究了热处理对TbDyFe薄膜结构及磁性能的影响√结果表明，制各态薄膜为非11A态 的饱和磁场大大降低，饱和磁化强度增强，初始磁化率提高，易磁化轴转向膜面。l／，～ 10击。退火热处理和衬底粗糙度 H=100kAdm下达到120x10击，在H=330kA／m时2．=240X 的降低有助于薄膜磁致伸缩性能的提高。L／工7～ 缩薄膜的磁化率和饱和磁化强度从而提高TbDyFe薄膜磁致伸缩性能。例备的超磁致伸缩 l矿，H=-330kA／m下 复合薄膜所达到的磁致伸缩值为：磁场强度H=100khdm下2．=140X ／l=320X 10“。U“ j，一7 v／ 关键词： 磁控溅射jsmc。；TbDyr。j磁性薄膜；笾垂萎鸢磁致伸缩．，厘≥；己，一 第1页 一—二_——————————…—————————————一 ABSTRACT 里堕型鎏盔笔婴壅生竖兰垡笙耋一一 and films by films bilayer prepared of SmCo／TbDyFe The SmCo、TbDyFe properties t0 theresearchw8s were inthis of purpose paper．The investigated D．C．magnetronspuRedng inlow field magnetic the films，especially finda to ofTbDyFe magnetostriction wayimprove