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摘要 III
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随着便携式电子产品的普及，电源管理解决方案不断追求高效率、小芯片面
积、低成本，这使得LDO越来越受欢迎。无片外电容的LDO可实现片上集成，
随着SOC的进一步发展，必将越来越成为主流。片上集成减小了PCB的面积，
但同时也对电路设计师提出了新的挑战。传统结构的LDO严格选择片外电容的
ESR(等效串联电阻)范围，以保证多极点系统的稳定性；并且，大的片外电容
可以在负载电流发生跳变时为负载电路提供电荷，提高LDO的瞬态响应。
针对以上问题，设计了一种具有负载调整补偿结构的单级LDO，达到去除
片外电容，提高瞬态响应的目的。使在无需输出大的片外电容前提下具有响应快
速负载电流变化的能力，减少由于负载电流迅速变化引起的电压纹波。同时仅依
靠100pF的片上寄生电容使LDO在负载变化的情况下仍能保持稳定，减少LDO
的芯片面积，从而使其适用于SOC的集成。
CMOS
芯片采用SMIC0．18岫，1．8W3．3V1P6M工艺，面积为1055¨m×
1300pm。测试结果表明，在目前的测试条件下，所设计的片上线性稳压电路对
上升、下降时间均小于160ns的脉冲信号具有良好的瞬态响应，在等待模式下具
有20衅的静态功耗。
关键词：线性稳压器；低压降；频率补偿；瞬态响应；输出电容
复口．人学硕I：论义一片I：高速响应低乐差线性稳压电路的研究与设计
Abstract
Withthe of electronic
widelyapplicationsportable products，powermanagement
and
areaandlower makesLDOmore
higherefficiency,smallercost，which
requires
more LDOwithout canbe on
popular．The off-chipcapacitorimplementedchip，SO
it becomethemainstreamtothe ofSOC．The
thatwould development
according
of atthesametimeit the
savesthearea PCB，but challenges
on-chipimplement
selectionof seriesresistorinthe
isstrict
engineersaggressively．There equivalent
the of
traditionalarchitecturetoassurestabilitysystem．Besides，usinglargeoutput
whentheloadcurrent alot．
wouldafford to
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