水热合成ZnO稀磁半导体研究.pdf

水热合成ZnO稀磁半导体的研究 摘要 稀磁半导体(DilutedMagnetic 有电子的电荷属性和自旋属性，是自旋电子学的基础，具有优异的 磁、磁光、磁电性能，使其在高密度非易失性存储器、磁感应器、 半导体集成电路、半导体激光器和自旋量子计算机等领域有广阔的 应用前景。 和Mn2+的掺杂，制备ZnO基稀磁半导体粉体。讨论了前驱物制备方 法、搅拌时间、反应温度、反应时间、矿化剂种类和浓度、掺杂含 量等工艺因素对粉体制备的影响。通过XRD表征粉体的晶相，对样 品进行扫描电子显微镜分析，观察粉末的显微结构；通过紫外吸收 测试掺杂离子的吸收峰，并且通过计算出的禁带宽度，可以检测掺 杂对ZnO电性能的影响；磁滞回线测试ZnO基稀磁半导体材料的磁 滞回线，分析材料的磁性能；通过EDS能谱测试分析掺杂的实际含 且 里。 行；高浓度的矿化剂浓度下，有利于形成纯净的晶体，3mol／L为宜： 相。讨论了不同掺杂含量对制备样品的影响，当X=0．05和O．1时， 9eV，3．15eV，3．17eV。 带宽度先降低后升高，分别为3．20eV，3。1 分别采用沉淀法和S01．gel法制备前驱物，沉淀法所制备前驱物，经 为3．20％(Atomic％)。 的掺杂；升高反应温度有利于掺杂的进行，在240℃为宜；反应时间 为24h、搅拌时间7～8h有利于合成颗粒小的晶粒；而当掺杂含量增 大时，会出现杂质相，说明ZnO对Cr离子的固溶是有限的；矿化剂 时可得到的性能较好的稀磁半导体，XRD测试表明随着Cr离子的掺 杂量有限，当x0．15时，掺杂进入到ZnO的晶格之内，并且所制备 的晶体发育比较完整。从FE．SEM可以观察出，掺杂量x0．2时，晶 体的形貌从短柱状转变为长柱状。由磁滞回线表明，晶体呈现顺磁 性。 610nmand655nm处分别出现了Co离子的吸收峰，说明Co离子掺 杂进入到ZnO的晶格内；在室温下，晶体呈现顺磁性。 晶相；以5mol／L的NaOH作为矿化剂，可以合成Zn0．85Mn0．150晶体。 室温下，Zno．9Mno．10和Zn0．85Mn0．150晶体呈现铁磁性。 关键词：稀磁半导体，ZnO，水热合成，磁性能 II PREPARATIoNoFZNoDILUTED SEMICoNDUCToRSBY METHOD ABSTRACT Diluted akindofmaterialthatit magneticsemiconductors(DMS)is can combinethe andelectronicsina successfully magnetism single substance．DMSis asthebaseof recognized theory，which spin—electron has some and goodmagneticperformance，magneto—optic made in nature，whichits such magneto-electric widespreadlyapplied fields as nonvolatile highden