多介质复合隧穿层闪存器件研究.pdfVIP

I I 摘要 摘要 闪速存储器（Flash Memory ）是目前占据统治地位的非易失性半导体存储器 （NVSM ）。它具有低功耗，小体积，高密度，可重复擦写等优异的特性。浮栅 器件作为闪存中的主流技术被广泛使用，但是当器件尺寸减小到 65nm 以下时， 传统多晶硅浮栅器件将遇到很大的挑战，其中最突出的就是器件擦写速度和可靠 性的矛盾，这主要 与存储器件隧穿介质层的厚度有关：一方面要求隧穿介质层 比较薄，以实现快速有效的P/E操作；另一方面又要求较厚的隧穿介质层，以实 现足够的保持时间。为了克服这个问题，引入高介电常数材料对隧穿氧化层进行 优化，通过多介质复合隧穿介质层的方法来解决：主要有VARIOT和CRESTED 两种堆叠隧穿结构。 本文首先介绍了浮栅存储器的广泛应用和它具有的优势，接着介绍了浮栅存 储器件的结构和特性，工作原理，及其目前所面临的挑战。 本文结合纳米晶和VARIOT堆叠结构，制作了VARIOT堆叠隧穿层的Au纳米 晶MOS存储结构：Si/ SiO / HfO /Au 纳米晶/Al O /Al ，主要是通过电子束蒸发 2 2 2 3 加快速热退火成晶的方法，在VARIOT(高k/ SiO2 )堆叠隧穿层上制备了Au金属纳 米晶材料。针对该存储结构的电荷存储能力和电荷保持特性进行测试，并对测试 结果进行分析。VARIOT堆叠隧穿层中引入高k材料HfO ，其介电常数是SiO 材 2 2 料的五倍，保证了相同等效氧化层厚度(EOT) 的HfO 介质可以提供数倍于SiO 2 2 材料的物理厚度，有利于提供更好的数据保持特性。实验数据表明隧穿氧化层在 相同等效厚度情况下，VARIOT堆叠隧穿介质具有比单层SiO2 隧穿介质更高的物 理厚度，有效降低了漏电流，进一步提高器件的保持特性。 我们还通过理论和MEDICI软件仿真两种方法分析了CRESTED(高k/ SiO2/高 k) 堆叠隧穿结构对浮栅存储器件编程速度的影响。分析表明要折中考虑 CRESTED 中高k材料的介电常数和势垒高度，才能设计出合理的CRESTED结构 从而提高存储器件的编程速度。并通过MEDICI模拟得出，在相同等效厚度情况 下，Si N /SiO /Si N 和Y O /SiO / Y O 两种CRESTED堆叠隧穿层浮栅存储器 3 4 2 3 4 2 3 2 2 3 件的FN隧穿速度是传统浮栅存储器的100 倍左右。 关键字：非易失性存储器；VARIOT 堆叠隧穿层；冠状势垒隧穿层；高k 介质。 I Abstract Abstract Flash Memory dominates the field of NonVolatile Semiconductor Memory today. It has the attractive characteristic of low power, small size, high integration, and rewritability. A device based on floating gate which is mainstream technology is used widely in flash memory. However, this device will encounter bigger challenge when the feature size is scaling down to s