试卷编号：000123.docVIP

试题编号： 重庆邮电大学2009-2010学年第1学期 液晶物理与技术试卷（期末）（卷）（闭卷） 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 总 分 得 分 评卷人 一、选择题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 1、型半导体是 [ ] (A) 电子 (B) 空穴 (C) 电子空穴对 (D) 金属阳离子2、 [ ] (A) 提高像素单元的图像存储能力 (B) 控制液晶透光与否的开关 (C) 增大栅电压 (D) 电路脉冲信号的急速缓冲 3、 [ ] (A) 条形 (B) 马赛克形 (C) x形 (D) delta形 4、 [ ] (A) 缩小储存电容所占的面积 (B) 有效地减小黑矩阵制备工艺带来的对准误差 (C) 采用最后制备ITO薄膜技术 (D) 把TFT的信号线并接到彩色薄膜所在的板面 5、具有n行、m列显示像素的TFT-LCD屏实际所包含的像素个数是 [ ] (A) n(m (B) 3n(m (C) 3n(3m (D) n(3m 二、填空题（本大题共小题，每空1分，共20分） 1、下图是TFT—LCD的一个像素单元的等效电路，请分别写出图上所标的