ECRCVD制备的SiOxaCFSiOx多层膜的结构与介电性质.pdfVIP

ECR-CVD制备的SiO./a-C:F/SiO.多层膜的结构与介电性质 中文摘要 中文摘要 食用80%Ar稀释的SiH4,02,CHF3和CH4作为前驱气体，利用微波电子回旋 共振等离子体化学气相沉积 (ECR-CVD)方法制备了氧化硅/氟化非晶碳膜/氧化硅 (SiO./a-C:F/SiO.)多层膜与单层的氟化非晶碳膜 (a-C:F)，并在N2氛围退火处理中 考察其热稳定性。使用台阶仪测量退火前后膜厚的变化;用紫外可见分光光度计 (UV-VIS)测量了膜的透光谱，并计算了其光学带隙;用傅立叶变换红外光谱仪 (FTIR)和X射线光电子能谱仪分析了薄膜的化学键和成分分布;使用低频阻抗分 析仪测量了薄膜的介电常数。本文重点分析了SiOx/a-C:F/SiO、多层膜的结构与成分， 并与单层的a-C:F薄膜比较了退火前后结构与介电性质的不同。 结果表明，多层膜主要由C-F,C=C,Si-O键构成，由于器壁的历史效应，薄膜 中还存在少量Si-C和Si-F键;多层膜的光学带隙经计算约为2.7eV;多层膜的介电 常数与包层SiOx厚度有很大关系，应尽可能减小Siox厚度;在经历200-4000C的Nz 氛围中退火后，多层膜的红外结构没有发生太大的变化;膜厚度稍微增大，介电常数 只增加了8%u，与同样制备条件下沉积的单层a-C:F薄膜相比具有较好的热稳定性。 关键词:ECR-CVD，多层膜，氟化非晶碳膜，介电常数，热稳定性 作 者:陈 军 指导教师:程珊华 ThestructureanddielectricpropertiesofSiO./a-C:F/SiO.filmspreparedbyECR-CVD Abstract Thestructureanddielectricpropertiesof SiOx/a-C:F/SiO,rfilmspreparedbyECR-CVD Abstract Siliconoxide/Fluorinatedamorphouscarbon/Siliconoxidemultiple-layeredfilmsand one-layeredFluorinatedamorphouscarbonfilmswerepreparedusingMicrowaveelectron cyclotronchemicalvapordeposition(ECR-CVD)reactorwithSiH4,02,CHF3andCI-I4as sourcegasandwereannealedinnitrogenambienceinordertoinvestigatetheirthermal stability.Thethicknessoffilmswasmeasuredbyaprofilometer(ET350,Japan)beforeand afterannealingandtheopticaltransmissionspectrumwasobtainedbyaUltraviolet-Visible (UV-VIS)spectrophotometer(X.-17,PklinElmer)andopticalbandgapwascalculated.The bondingconfigurationsandelementofthefilmswereanalyzedbyaNicolet550 Fourier-transformedinfraredspectrometer(FTIR)aswellasX-rayphotoelectron spectroscopy(XPS).Thedielectricconstantwereexaminedbycapacitance-voltage(C-V) characterization.Wemainlydiscussedthebongingconfigurationsandelementofthe SiOx/a-C:F/SiOXmultiple-layeredfilms,andthedifferencefromone-layeredfilmsbefore andafterannealing