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非梅杂氛化锌的光致发光特性研究 中文摘要 中文摘要 多晶ZnO薄膜是一种多功能宽带隙氧化物半导体薄膜材料，它可以作为透明导 电薄膜、压电薄膜、光电子器件、气敏和湿敏器件而具有广泛的应用前景。己经引起 了越来越多研究者的关注。本论文主要工作是多晶ZnO薄膜的制备和光学特性研究。 采用射频反应溅射法，以高纯度0:和Ar作为溅射工作气体，成功地在门型硅衬 底上制备得到了高质量的多晶ZnO薄膜。系统地研究了沉积条件对多晶Zn0薄膜沉 积速率的影响，分析了溅射功率、气压、靶间距对ZnO薄膜沉积速率的影响。采用 XRD.SEM对薄膜的结构进行了表征。 XRD测试表明，所制备的薄膜具有高度的 (002)取向性;SEM测试表明，制备的 薄膜致密、均匀。 研究了源气体中氢气和氧气的流量比、后处理温度对薄膜发光谱的影响。结果证 实，由激子复合形成的紫发光峰与薄膜的结晶状态密切相关，加热后处理能改变薄膜 的结晶度，从而会增强紫峰发射。可见光波段的蓝发光峰和绿发光峰则与薄膜中的氧 和锌缺陷有关，通过制备时氧气流量的变化，以及在缺氧和富氧环境下的后处理可以 调节这些缺陷的浓度，从而改变薄膜的发光峰位和强度。从导带底到锌缺陷形成的受 主能级之间的跃迁可能是产生蓝光发射的原因，由氧缺陷形成的施主和锌缺陷形成的 受主之间的跃迁可能是形成绿光发射的原因。加热后处理温度是重要的参量，它控制 了加热过程中薄膜的氧化和氧的解吸附之间的平衡，从而控制了薄膜中的各种缺陷浓 度分布。 关键词:ZnO薄膜、光致发光、后处理、蓝光发射、绿光发射 作 者:李伙全 指导教师:宁兆元 StudyonphotoluminescencepropertiesofundopedZnOfilms abstract Studyonphotoluminescenceproperties ofundopedZnOfilms Abstract Polycrystallinezincoxide(ZnO)filmsareoneofveryusefulmaterials,andare widelyusedinpiezoelectricdevice,transparentconductingelectrodes,photo-electric deviceandgassensorsbecauseoftheirexcellentcharacteristics.Inthisdissertation,we reportthesystematicalworkonpreparation,andopticalpropertiesofpolycrystallineZnO films. ZnOfilmsweredepositedonn-typesilicon(Si)substratebyreactiveradiofrequency sputtering(RF)techniquewithaZnOtargetinthemixedgasofArand02.Theeffectsof depositioncondition,includedRFpower,sputteringpressure,thedistanceofsubstrateto target,ongrowthrateofZnOfilmshavebestudiedindetail. ThemicrostructureoffilmswerecharacterizedbyXRD,SEMspectra.TheXRD measurementsshowallthefilmshave(002)preferredorientation.TheSEMmeasurements showthemorphologyofZnOgrainsisuniformityanddense Wereporttheeffectsofthegrowth