磁控溅射及真空蒸镀制备的纳米氧化锌薄膜的光电性质研究.pdf

未经本论文作者的书面授权，依法收存和保管本论文书面版本、 电子版本的任何单位和个人，均不得对本论文的全部或部分内容进行 任何形式的复制、修改、发行、出租、改编等有碍作者著作权的商业 性使用 (但纯学术性使用不在此限)。否则，应承担侵权的法律责任。 磁控溅射及真空蒸镀制备的纳米氧化锌薄膜光电性质研究/马剑钢 摘 要 氧化锌 (ZnO)是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下的带隙宽度为 3.37eV,激子束缚能高达0meV。自1997年首次在Zn0多晶薄膜上实现了室 温光泵浦紫外激光以来，有关ZnO材料的研究己经成为光电领域国际前沿课题 中的热点之一。针对当前Zn0的研究工作的热点问题，本论文主要对氮掺杂ZnO 多晶薄膜材料的光电性质和镶嵌在绝缘基质当中的纳米ZnO颗粒的结构和光学 性质进行了研究，具体研究内容如下: (1)利用磁控溅射及后退火的方法制备出氮掺杂的Zn0薄膜材料，通过多 种表征手段研究了氮的掺入对ZnO薄膜微结构、紫外发光和电学特性的影响。 观察到由氮引起的局域拉曼振动模，以及束缚在中性受主上的激子的发光表明利 用这种方法能够实现对ZnO的有效氮掺杂，并可以通过改变退火温度的方法调 节ZnON:薄膜中氮杂质的含量。 (2)通过共溅射的方法，制备了包埋有ZnO纳米颗粒的Si02薄膜材料。 在800℃退火后得到了通常形成温度较高的Zn2SiO4材料。并在700℃退火温度 下形成Zn2SiO4/ZnO纳米颗粒的核壳结构。Zn2SiO4壳层的形成促进了ZnO纳米 颗粒中的应力释放以及缺陷态密度的降低，从而提高了Zn0纳米颗粒的近带边 紫外发光的效率。 (3)利用共蒸发及后退火的方法制备了Mg0包埋的Zn0纳米颗粒材料。 研究结果表明Mg0基质与ZnO之间形成的MgZnO合金层对ZnO纳米颗粒中 的载流子起到限制作用，并且部分钝化了ZnO纳米颗粒的表面缺陷。主要表现 为ZnO纳米颗粒材料的带隙宽度随退火温度升高逐渐增大，紫外发光峰蓝移并 且强度逐渐增强，而缺陷发光明显减弱。 关键词:ZnON:,磁控溅射，共蒸发，ZnO纳米颗粒，光致发光 摘要 /2004年 Abstract Zincoxide(ZnO)isanimportantII-VIwidebandgap(Eg3.37eV) semiconductorwitharelativelyhighexcitonbindingenergyof60meV.Sincethe realizationofstimulatedemissionofZnOmulticrystalfilmsatroomtemperatureby opticalpumpingin1997,researchesonZnOanditsrelatedmaterialshavebecome oneofthemostpromisingandattractiveaspectsintheoptoelectronicregion.Inthis thesis,weinvestigatetheopticalandelectricalpropertiesofnitrogendopedZnOthin filmsandZnOnano-particlesthatembeddedinthedielectricmateriallikeMgOand Si02.Thedetailsareasfollows: (1)NitrogendopedZnOthinfilmswerepreparedbyradiorfequency(RF) magnetronsputteringandsubsequentthermalannealing.UsingX-raydiffraction, X-rayphotoelectronspectroscopy,Ramanscattering,photoluminescence(PL)and Hallmeasurements,theeffectsofnitrogenincorporationonthestructural,opticaland electricalpropertiesofZnOthinfilmshavebeeninvestigated.Emissionsrfomneutral acceptorsboundexcito