宽禁带半导体的辐照效应研究.pdf

丫 654673 摘 要 摘 要 宽禁带半导体的辐照效应研究 凝聚态物理专业 研究生 王 鸥 指导教师 龚 敏 教授 宽禁带半导体材料GaN和Sic是在蓝色发光和极端器件中很有前途的材 料。也被寄希望在军事和航天等辐射环境下工作。在其器件生产中，电子辐照 和离子注入是常用的工艺。本文对GaN和6H-SiC的辐照效应进行了研究。 我们使用了光致发光(PL)技术。在经过0.3MeV,0.5MeV,1MeV和1.7MeV 能量电子辐照的n型GaN材料中，发现不同能量的辐照诱生了两种不同的缺 陷。由0.3MeV,0.5MeV较低能量电子辐照诱生的缺陷对自由激子((FE)、施主 一束缚激子复合((DBE)和纵向声子((LO)谱线的消退作用较弱，对蓝色发光带 (BL)消退作用较强。由较高能量的1MeV,1.7MeV电子辐照引入的缺陷表现 出对FE,DBE和LO相对较强的消退作用。对经中子，1.7MeV和0.5MeV 电子辐照后未经退火的n一型 6H-SiC观察到 3条新的尖锐的谱线，位于 478.6nm(2.59eV),483.3nm(2.565eV)和486.1nm(2.551eV)，它们还未见公开报 道。它们经350℃退火后变的很微弱，经5000C退火后消失。指出它们源于与 单空位相关缺陷。通过对经中子，电子辐照的P型6H-SiC进行PL研究，观 察到一系列高强度的D-A对发光峰，没有观察到与辐照缺陷相关的谱线。 通过深能级瞬态谱((DLTS)技术对在。.3MeV和0.5MeV电子辐照后的P型 6H-SiC样品的研究。发现在0.3MeV电子辐照后，深能级H1出现。0.5MeV 电子辐照后，深能级H2出现。根据在sic晶格中使C和Si原子位移所需的 能量，推断出H1源于sic晶格中C原子的位移，H2源于Si原子的位移。又 根据Hl,H2和Vc,Vsi在PAS研究中的退火特性的相似性，认为HI源于VC, H2源于Vsia 二}F 勿多八六带 摘 要 最后，还对GaN紫外探钡1器的辐照失效现象进行了初步分析。指出其失 效主要是由器件表面的SiO2钝化层在辐照时电离产生的固定正电荷和界面态 导致。肖特基接触特性在辐照后下降也是重要原因之一。 关键词:GaN 6H-SiC 辐照诱生缺陷 光致发光 深能级瞬态谱 失效 Abstract Abstract Studiesofirradiationeffectsonwidebandgapsemiconductor CondensedstatePhysics Postgraduate:WangOu Advisor:GongMin GalliumNitride(GaN)andSiliconcarbide(SiC)arepromisingwidebandgap materialsforfabricatingbluelightemittingandextremelyusingdevices.Theyare expectedtoperformintheradiationenvironmentofmilitaryandastronautic domains.Inmoderndevicetechnology,electronirradiationandionimplantation areusuallyemployed.Inthisarticle,irradiationeffectsofGaNan