硅基多晶钛酸锶钡铁电多层膜的结构与介电增强效应.pdf

硅基多品认酸腮钡铁电多层膜的结构与介电增强效应 中文摘要 中文摘要 钦酸银钡铁电薄膜因具有良好的铁电、介电、压电和热释电等性能而受到重视， 这些性质使它们可应用于与硅电路集成的动态随机存储器。本论文的工作主要研究了 利用脉冲激光法，在硅基片上沉积多晶的钦酸铭钡铁电多层膜，使其介电常数增强的 同时，保持较低的介电损耗。通过对多层膜结构和性质的系统研究，分析了多晶的多 层膜中介电增强效应的形成机理。论文的研究结果如下: (I)周期厚度对钦酸银钡多层膜的影响 采用脉冲激光法在 Pt/Ti/Si02/Si衬底上沉积了多晶的BaTi03/Bao,6SrO4TiO3, BaTi03/Bao.2Sro.8TiO3,BaTi03/SrTiO;三种多层膜，研究发现周期厚度明显影响多层 膜的介电性质，通过改变周期厚度，在三种多层膜中均发现了介电常数增强的现象。 在BaTiO3/Bao.6Sro.4TiO:多层膜中，当周期厚度为60nm时，介电常数高达 1336，介 电损耗仅为0.04。在BaTi03/Bao_2Sro,8TiO3多层膜中，当周期厚度为80nm时，介电常 数为890，介电损耗为0.04。在BaTi03/SrTiO;多层膜中，当周期厚度为60nm时，介 电常数为721，介电损耗仅为0.0334。研究同时表明，在硅基多晶的多层膜中，不同 介质材料的接触处存在明显的界面层，正是这一特殊的界面层导致了介电常数的增 强，该介电常数增强的现象与Maxwell-Wagner效应相关。 (2)后处理对钦酸银钡多层膜的影响 利用脉冲激光沉积法在 Pt/Ti/Si02/Si衬底上，沉积了单层厚度为48nm 的多晶 BaTi03/Bao.2Sro.8TiO3多层膜，通过对薄膜进行热后处理，研究了其介电性质。研究发 现，薄膜经过热处理后，相对介电常数明显增大，而介电损耗变化不大。经过2.5小 济裱多品认酸铭钡铁电多层膜的结构与介电增强效应 1巾文摘丝 时后处理的多层膜，其相对介电常数高达891，而介电损耗仅为0.038。作者采用MW 模型对实验数据进行了解释，结果表明，在合理的参数下，模拟曲线与实验结果相吻 合。 (3)薄膜厚度对钦酸铭钡多层膜的影响 利用脉冲激光沉积法在 PUTT/SiO2/Si衬底上，沉积了不同总厚度的多品 BaTi03/Bao.2Sro.8TiO3多层膜，研究了周期厚度、界面数对薄膜介电性质的影响。研究 表明，在相同界面数的情况下，厚度对薄膜的介电性质影响较大。在薄膜厚度为240nm 时，多层膜的介电常数为810，介电损耗为 。.036。同样，在保持周期厚度相同的前 提下，薄膜厚度对介电性质也产生较大的影响。在薄膜厚度为320nm时，多层膜的 介电常数为 913，而介电损耗仍然保持在较低的水平，仅为0.036。分析表明，实验 结果与界面空间电荷极化有关，通过对实验数据进行MW理论分析，发现拟合结果 与实验数据相符合。 关键词:介电增强效应，铁电多层膜，钦酸铭钡薄膜，脉冲激光沉积， Maxwell-Wagne:模型 作 者:葛水兵 指导教师:宁兆元 硅挤多品认酸铭钡铁电多层膜的结构’，介电增强效应 英文摘公 Structureanddielectricenhancementof polycrystalline(Ba,Sr)Ti03ferroelectricmultilayer filmsonSisubstrate Abstract (Ba,Sr)Ti03thinfilmsshowhighapplicationpotentialinhigh-densityDRAM capacitorswithverylargescalei