纳米ZnO在多孔氧化铝模板内的发光特性的研究.pdfVIP

2005年1月 中文摘要 ZnO为直接带隙宽禁带半导体材料，可作为蓝绿波段光电子设备和半导体激 光器件的基础材料。利用阳极氧化法制备的多孔氧化铝可以作为制各多种纳米复 Anodic 合材料的模板。本文主要对多孔氧化铝膜的生长规律和ZnO／PAA(Porous Alumina)组装体系的发光性质进行了研究。 通过对多孔A1。O。模板进行扫描电镜(SEM)和x光衍射的测试，我们观察到 多孔A1。0。模板的孔洞在微米范围内呈有序的六角排列(但随电解液种类不同， 有的孔洞在观察的时间内排列还不够规则)，孑L洞的生长方向与铝基体的表面垂 直，彼此平行：而A1。0。膜本身的结构是非晶态的。我们进一步研究了多孔A1。oa 膜的生长规律，发现随着阳极氧化电压的增大，氧化铝模板的孔间距和孔径都与 电压呈线性关系地增大；采用不同种类的电解液所制备的氧化铝模板的颜色不 同，草酸制备的模板呈黄色，而以磷酸和铬酸电解液制备的模板为淡蓝紫色，去 除铝基底后的氧化铝膜是透明的：阳极氧化时间越长，氧化膜的厚度就越厚，孔 洞的排列越趋向周期性的规则排列，表明多孔氧化铝膜的孔洞按“自组织”方式 生长；阳极氧化的温度要尽可能得低，温度高于20℃，模板表面就会起泡，从 而损坏模板。 采用溶胶一凝胶法，在多孔A1203模板的孔洞内成功地掺入纳米ZnO发光 材料，我们研究了多孔氧化铝模板对ZnO发光性能的影响。我们得到如下主要 结果： 来源于多孔A1203膜内存在着大量的氧离子单空位(F+心)。 带，退火后比退火前的模板发光谱线的这种“蓝移”，主要是因为退火减小了氧 化铝模板内部的应力；发光峰的强度随退火温度的升高而降低，这是因为扩散进 入模板的氧与模板内的氧空位复合，从而导致氧空位浓度减小；另外，我们观察 到在大约500。C以上的温度退火后，A1203模板的发光消失，这是因为氧空位缺 陷(F+心)的消除。 (3)对于纳米ZnO／PAA组装体系，不同退火温度对其发光性能产生不同的影 的多孔A1203模板的荧光谱发生了“继续蓝移”，发光峰移至445nm附近；当退 火温度高于500℃时，发光峰又发生了“红移”，这种“继续蓝移”和“红移” 的现象，都是ZnO纳米颗粒量子限域效应的结果。纳米ZnO／PAA组装体系的发 光强度随退火温度的升高而增强，至700℃时最强。 关键词： 阳极氧化法，多孔A1203膜，溶胶一凝胶法，ZnO，发光 ABSTRACT ZnOisawide semiconductor forlaserdiodesand band—gap material，suitable devices inblue-green alumina optoelectronicoperating spectralregion．Theporous filmsCan usedtofabricateassemblesof kindsnano—materials．Inthis be many of themechanismof ofanodic andthe studied growth alumina characteristics paper,we anodic ofZnO loadedinto aluminahosts． ofphotoluminescencenano—particlesporous themeasurementsof films electron Through A1203byscanning and diffraction．itWaSfound