准一维系统中电子输运声电电流问题的研究.pdfVIP

654672 Y 摘 要 准一维系统中电子输运声电电流问题的研究 凝聚态物理专业 研究生 高宏雷 指导老师 高 洁 院士 20世纪80年代初期开始兴起的介观物理是凝聚态物理中人们十分关注的 领域，介观物理揭示了许多新的物理效应，对物理基础理论、实验测量和半导 体器件的发展都有重要意义。 近年来，介观系统中表面声波对单个电子的输运问题引起了人们极大的兴 趣。19%年剑桥大学凯文迪什实验室的Pepper小组在实验中观察到，表面声 波在GaAs/AI,Ga,.As异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传 播时，在通道内诱导产生的声电电流随门电压振荡，且在一维通道钳断的情况 下 声电电流是量子化的，其值为砂，其中n为正整数，f为表面声波的频率， e是电子电荷。该量子化的声电电流有可能作为量子电流标准，与根据约瑟夫 森效应建立起来的量子电压标准和由量子霍尔效应建立起来的量子电阻标准一 起构成封闭的 “计量三角形气这对于介观量子输运理论和计量学的发展都具有 极其重要的意义。 表面声波与GaAs/AI,Ga,.,As异质结中二维电子气相互作用过程中，电子 在GaAs/AI,Ga,.,As异质结二维电子气中的准一维电子通道内的运动为弹道式 的，并且电子在一维通道边界上的散射为镜面反射，因此，低维系统表面声波 对电子的输运现象可以简化为准一维系统中的电子弹道输运问题。我们采用 WKB近似计算出表面声波在GaAs/AI.Gai.,As异质结表面沿由分裂门产生的准 一维电子通道方向传播时，量子阱捕获一个电子和两个电子时的声电电流;并 详细讨论了表面声波的频率和功率，以及分裂门偏压、库仑相互作用和源漏偏 压对声电电流的影响，为进一步的实验工作提供有益指导和参考。 关键词:表面声波，准一维电子通道，GaAs/AI,Gal_,As异质结，量子化声电 电流 娜1「r.、， 义公孤 Abstract TheStudyofAcoustoelectricCurrentProducedbyElectron TransportinQuasi-One-DimensionalSystem Major:CondensedMatterPhysics StudentGaoHong-lei Advisor GaoJie Thestudyofelectrontransportinmesoscopicsystemshasrecentlyattracted muchattention.Somenewphenomenahavebeenfoundintheexperimentabout mesoscopicsystems.In1996,thegroupPepperofCavendishLaboratorynotonly observedthegiantoscillationintheacoustoelectriccurrentinducedbythesurface acousticwave(SAW)asfunctionofthesplitgatevoltagewhenSAW launched alongthequasi-one-dimensionalelectronchanneldefinedinaGaAs/AIXGa,_sAs heterostructurebysplitgatebutalsofoundthattheacoustoelectriccurrentIversus thesplitgatevoltagedisplayedastep-likebehaviorandthevaluesofthecurrenton theplateausarequantizedwithI=nef,whereeiselectroncharge,fisthe SAWfrequency,an