碳化硅和若干金属氧化物辐照效应的研究.pdfVIP

天津大学研究生院 2005年2月 中文摘要 硬度高、耐腐蚀和抗氧化能力强的性能，因而有着广泛的应用。近年来大量对这 两类材料的研究却逐渐开始关注其在高能粒子强辐照条件下的行为，因为金属氧 化物现在被认为是极有潜力的核技术结构材料，而SiC除了作为重要的核工业结 构材料之外，作为半导体材料也一直被作为能在极端条件(如辐射环境)下正常 工作的新型半导体材料。本文围绕辐照对这几种材料造成的可能的辐照损伤，对 它们的结构、性质和性能在辐照及热退火条件下的变化机理进行了研究，取得了 一些阶段性的成果。 我们对几种材料首先进行了Ar离子注入实验，通过x射线衍射、透射吸收 谱的分析，我们发现高能离子的轰击在很大程度上对晶格造成了破坏，削弱了反 应晶格完整性的x射线衍射峰，并且增加了样品对光的本底吸收。但是辐照并没 有大量产生各种典型的晶体缺陷，反映在吸收光谱中没有出现明显的色心吸收 峰。加大辐照剂量也没有产生新的现象。 中子辐照实验在几种氧化物晶体中都均匀地产生了色心。如在MgO中，中 子辐照产生了大量的阴离子单空位(F+)、阴离子双空位(F2)及其它更高阶的 缺陷。通过等时退火测试，这些缺陷发生了一系列消长和转型的变化过程，并最 mn 终在900℃左右全部消失。实验结果同时还表明，MgO透射吸收谱中位于573 的色心吸收峰产生自与位于424、451rim的色心吸收峰类型不同的更高阶的阴离 子空位聚集态。 通过对SiC中子辐照样品的x衍射谱的分析我们发现：辐照样品在(102)方 向的热膨胀系数比辐照前明显减小，同时样品晶格有序度随着退火温度的变化呈 良好的线性关系。 关键词： 离子辐照中子辐照碳化硅金属氧化物辐照损伤退火恢复 ABSTRACT SiCandmetaloxidesof havebeen usedin MgO，A1203，MgAl204widely many areasduetotheir suchaSthe hi曲一temperatrue outstandingphysicalproperty superior andthermo—chemicalthese alotof stability．In properties，veryhi曲hardness years researchesonthesematerialshaveshiftedtotheirbehaviorunder energicparticle been irradiation．becausehave as candidatematerialsfor they regardedpromising nuclear for its in SiC，besides manyimportantapplications．As applicationsenergy isalsobeen touseitaSanewmaterialforadvancedelectronic system，it expect devicewhichcouldworkunderirradiation this concem work，we