GaAs基和InP基化合物半导体材料MBE生长与特性的研究.pdf

论文题目:GaAs基与InP基化合物半导体材料MBE生氏与特性的研究 作者简介:舒永春，男，1965年生，2001年从师于王占国院士和许京军教授，于2005年6月 毕业于南开大学凝聚态物理专业，并获理学博士学价. 内容摘要 本论文 G《aAs基与InP基化合物半导体材料MBE生长与特性的研究》的主要内容包括: MBE系统的建立与辅助设备系统设计，AIGaAs/GaAs二维电子气材料 (2DEG)和InP/InP外延材 料生长与性质研究以及光泵浦半导体外腔激光器 (OPS-VECSEL)芯片材料设计与生长的研究共 4个部分。按MBE系统的要求，对MBE设备配套系统进行了综合设计和建设，完成了材料生长 前的各项准备工作并对MBE系统的性能指标进行了测试和鉴定。测试结果中的HEMT,InP外延 材料的电子迁移率创造了法国Riber公司MBECompact21T型设备的历史最好结果 (见Riber国 际网站info@ribeccom)。本论文的主要研究成果和创新点如下: 1.通过对材料结构、工艺参数的设计和掺杂方式的研究，研制出一批高电子迁移率的2DEG材 料，(9nK1.5Xl05Cm2/V.s达到90YO):典型样品光照后的电子迁移率FL77K=2.3x105Cm2/Vs w2K=1.78x106cm2/V-s，该指标是目前国内已报到的最好结果，并观测到典型的整数量子霍耳 振荡现象。 2.研究了在低温 (2K)和强磁场 ((6T)下GaAs/AIGaAs二维电子气材料的持久光电导 ((PPC) 效应，结果表明:在低温光照后第一子带和第二子带的电子浓度同时增加、两个子带中电子 的量子寿命和整数霍尔平台宽度减小。并估算了费米能级和两个子带之间的能级间隔。 3 完成了对MBE系统固体磷源的磷束流稳定性的研究和优化，解决了磷束流的稳定控制问题。 通过生长参数对InP/InP材料性能和表面状态影响的研究，认识到含磷化合物材料生一民的关键 是控制背景杂质含量和界面质量，并掌握了这些关键点的控制与工艺参数相互影响的关系， 获得了外延层厚度为2.5lutt以下电学性能为Ftr7K=4.76x100cm2Ns,Ns77k=1.55x10cm的‘高 质量InPlInP外延材料 (磷的裂解温度为8500C)。该结果是目前国际上已报道的MBE外延 InPlInP材料最好结果。实现了在同一台简约型MBE系统生长高质量的含磷和无磷化合物半 导体材料。 4.利用传输矩阵的方法计算拟合出多层分布式布拉格反射镜 (DBR)和垂直外腔激光器 (VECSEL)芯片结构的反射谱曲线，对DBR和增益结构与外延生长实验有一定指导意义。 研究了的结构设计与生长工艺条件，制备出中心波长与理论计算基本吻合的DBR和VECSEL 芯片材料。为进行OPS-VECSEL的激光实验、倍频和被动锁模研究奠定了基础。 关键词:MBE系统、高电子迁移率、GaAs/AIGaAs二维电子气材料、InP/InP外延材料、 OPS-VECSEL. 研究成果: 1.赴7j(查、皮彪、林耀望、邢小东、妇宽宏、王占国、许京军;签二生查，固态源MBE系统在生 长In?后，生E高质量的调制掺杂GaAs材料的研究;Trans.NonferrousMet.Soc.China, Vol.15(2),332-335(加05)，SCIEIo 2,赶鑫查、姚江宏、林耀望、邢小东、皮彪、徐波、王占国、许京军:m立」上查 高电子迁移 率InP/InP外延材料的MBE生长，半导体学报 Vol.36(8),(2005),El. 3、张冠杰、*.T迹直、皮彪、邢小东、林耀望、姚江宏、王占国、许京军;笙三韭嗜,固态源MBE 系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和 InP/InP外延材料的兼容性研究，人工晶体学报， Vol.34(3),395-398(2005),EI(非核心版)。 4、孔勇发、许京军、孙军、墅立壹、李兵等;弟旦Y,查，大尺寸光学级锯酸铿晶体，天津科学 技术成果鉴定，证书号2003)0 5、黄晖、许京军、孔勇发、张国权、舒A查、孙军等;签五二生置，泥酸铿品体中的分形几何观 察，人S晶体学报，Vol.33(3),305-309(2004)，El(非核心版)。 TitleoftheDr.DegreesThesis:InvestigationofComposite