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脉冲激光法制备高介电系数铁电薄膜和多层膜 中文摘要
中文摘要
本文介绍了高介电系数铁电薄膜材料在DRAM中的应用前景和现在存
在的主要问题及解决办法。利用脉冲激光法制备了两类铁电薄膜，一类
和介电性能的影响，发现PLT薄膜的介电性能非常依赖于脉冲激光沉积
时的氧气压，本论文找到了具有高介电系数和低介电损耗的PLT薄膜制
节沉积每层膜停留时的氧气压，实现了相对于Ba0。Sr。。TiO。均匀薄膜两倍
介电系数的BT／ST多层膜。
掺杂钛酸铅薄膜。采用不同的沉积氧气压，分析了其对薄膜微观结构和
介电性能的影响。结果表明在2Pa左右沉积的薄膜具有最好的结晶度和
介电系数。在频率为lOkHz时28％moi镧掺杂钛酸铝薄膜的介电系数达
852，并且保持了较低的损耗0．0110。同时制各了其它La掺杂浓度的
PbTi
oJ薄膜，发现它们也有类似的特点。本文对此现象作了定性解释。
另外制备了BT／ST多晶薄膜。通过降低层与层间隔时间的氧气压，形
成一组低阻介面层，进而提高了薄膜的介电系数。获得了lOkHz时介电系
数高达1204损耗0．I左右的高性能薄膜，其介电系数是
明了多晶BT／ST薄膜的介电提高机理应为氧空位引起的低阻界面层而不
是应力的结果。
本文的研究表明，在脉冲激光法制各高介电系数铁电薄膜和多层膜
时，合理地利用氧气压是一个提高薄膜介电性能的非常有效的手段。
关键词：脉冲激光沉积，铁电薄膜，气压、界面、介电增强
作 者：胡大治
指导教师：沈明荣
脉冲激光法制各高介电系数铁电薄膜和多层膜 英文摘要
ferroelectricfilmsand fabricated
High-K multilayers
laser
bypulseddeposition
Abstract
Thisthesisintroducesindetailthefuture ofhigh-K
application
main ofthematerialsandthemethodtosolve
ferroelectric
films，theproblem
these Inthe
problems． thesis，uniform
filmshavebeen
BaTiOflSrTi03(BT／ST)multilayered
polycrystalline
indicatedthat
PLT28，study oxygendeposition
investigated，respectively．For
dielectric
exertsa onthemicrostructureandthe
pressure s仃ongimpact
ofthe wefounda conditionto
films，and properdeposition prepare
properties
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