RTP设备温度场控制模型及控制算法设计.pdfVIP

第26卷第1期 北方工业大学学报 V01．26NO．1 CHINAUNIV．0FTECH． Mar．2014 2014年3月 J．NORTH RTP设备温度场控制模型及控制算法设计* 蒋玉雷 袁俊杰 (北方工业大学机电工程学院，100144，北京) 摘要RTP工艺是当今半导体制造过程中使用最广泛的热处理方法，其温度场具有升 温速度快和均匀性好的特点，但随着硅晶圆的尺寸不断增大，现已达到400mm，给RTP设备的 温度控制带来了困难．为得到良好的温度均匀性，本文提出了一个分区控制策略．基于对温度场 内的辐射传热的分析，将温度场分成了3个区域，并计算出各区域之间的热传导的热流量，最后 根据能量守恒定律得到了温度场的控制模型．针对模型的时变性和迟滞性的特点，以及温度场 升温速度和均匀性的要求，设计了一个基于Fuzzy-PID的控制系统，通过Matlab仿真证明了该 控制算法的有效性．本模型可用于控制系统的设计，也可用于加热装置结构的优化设计． 关键词RTP；辐射传热；分区控制；模糊PID 分类号TP273 ThermalPro- 快速热处理(RTP，Rapid 针对升温和保持阶段进行了研究． cessing)是一种先进的单片式热处理工艺，相对 加热系统的结构如图1所示．系统主要由 于传统的批量式热处理工艺，RTP更适用于集 加热腔体、卤钨灯阵列、石英托盘和旋转机构组 成电路特征尺寸的小型化，现在已广泛应用在 成，其中加热卤钨灯的排列如图2所示．加热腔 集成电路和MEMS等的半导体制造工艺中，其 体为一密闭腔体，为其他零部件提供安装位置； 石英托架用于放置硅晶圆；旋转机构用于减小 典型应用包括RTA、RTO、RTCVD等[1]．从 加热功率的不均匀性． 20世纪70年代出现商用的RTP设备开始[2]， 随着硅晶圆尺寸的增大和器件特征尺寸的减 同心圆排列的卤钨灯整列用来对晶圆进行 小，RTP设备就不断地被更新换代，在这个过 加热，在正常工作下，其温度处于600～1650K 程中，温度场的均匀性控制以及温度测量等问 范围内，辐射能量集中在1～5扯m波长范围内， 题一直是研究的热点[3]． 属于红外辐射．热源的这种大密度排列，可在机 械结构层面较大程度地提高温度场的均匀性． 1 RTP设备的加热装置 2 基于传热分析的控制模型 本文针对自行设计的200mmRTP设备进 2．1加热装置的简化模型 行了温度场控制技术的研究(实验室中)．该设 因只有作为热源的卤钨灯与硅晶圆之间进 备主要用于硅晶圆的离子注入后退火工艺中． 行有效的热传递‘“，故在建立温度场时，只考虑 由于升温和保持阶段的传热机制与降温阶段的 了卤钨灯和硅晶圆组成的温度场．由第1节中 不同，故其在两个阶段的数学模型也不同，本文 对热源的分析可知，卤钨灯的辐射经反射罩反 收稿日期：2013-05—30 。北京市教委科技计划面上项目． 第一作者简介：蒋玉雷，硕士研究生．研究方向：机器人控制技术 万方数据 第1期 蒋玉雷袁俊杰：RTP设备温度场控制模型及控制算法设计 33 射后均匀射出；而且加热过程中硅晶圆是处于