温室环境多参数智能控制器的设计.docVIP

2014 届本科毕业设计(论文)外文 文献翻译 题目 温室环境多参数智能控制器的设计 学 院 电气与自动化工程学院 年 级 2010 专 业 电气工程及其自动化 班 级 1608102 学 号 160810206 学生姓名 王冲 校内导师 孟翔飞 职 称 中级 外文出处： The Description of AT89S51 DS18B20 Digital Thermometer 附 件： 1.外文资料翻译译文；2.外文原文。 附件1：外文资料翻译译文 AT89S51的说明 1概述 该AT89S51是一种低功耗，高性能CMOS8位微控制器与4K字节的系统内可编程闪存。该设备是采用Atmel的高密度非易失性存储器技术制造，与工业标准的80C51指令集和引脚兼容。片上Flash允许程序存储器在系统或由传统的非易失性存储器编程器重新编程。通过结合在系统可编程的Flash集成在一个芯片上的一个多功能的8位CPU，Atmel的AT89S51是一个功能强大的微控制器提供了高度灵活和具有成本效益的解决方案为许多嵌入式控制应用。 该AT89S51具有以下标准功能：4K字节的闪存，128字节RAM，32个I / O口线，看门狗定时器，两个数据指针，两个16位定时器/计数器，一个五向量2级中断结构，全双工串行口，片内振荡器和时钟电路。此外，AT89S51设计了静态逻辑操作下降到零频率，并支持两种软件可选的节电模式。 空闲模式停止CPU，而RAM，定时器/计数器，串行口和中断系统继续工作。掉电模式保存RAM的内容，但冻结振荡器，禁止所有其他芯片功能，直到下一个外部中断或硬件复位。 2端口 端口0是一个8位漏极开路的双向I/ O口。作为一个输出端口，每个引脚可以驱动8个TTL输入。当1s被写入端口0引脚，该引脚可作为高阻抗输入。港口0也可以配置在访问外部程序和数据存储器的访问是复低位地址/数据总线。在这种模式下，P0具有内部上拉电阻。港口0也是在Flash编程接收代码字节，并在程序验证的输出代码字节。程序校验时，需要外部上拉电阻。 端口1是8-bit双向带内部上拉电阻的I / O端口。端口1输出缓冲器可吸入/源四TTL投入。当1s被写入到端口1引脚，它们是通过拉高内部上拉电阻，可以作为输入。作为输入，端口1 pins被外部拉低，将输出由于内部上拉电阻的电流（IIL）。 端口1也是在flash编程和校验接收低位地址字节。 端口引脚 第二功能 P1.5 MOSI(用于ISP编程) P1.6 MISO（用于ISP编程） P1.7 SCK(用于ISP编程) 端口2是8-bit双向带内部上拉电阻的I / O端口。端口2输出缓冲器可吸入/源四TTL投入。当1s被写入港口2 pins，他们是通过拉高内部上拉电阻，可以作为输入。作为输入，端口2 pins被外部拉低，因为内部上拉ups.Port2，将输出电流（IIL）中取从外部程序存储器和访问期间，向使用外部数据存储器发出的高位地址字节16位地址（MOVX @ DPTR）。在这种应用中，P2口使用很强的内部上拉发送1。期间，使用8位地址（MOVX@ RI）访问外部数据存储器，端口2发出的P2特殊功能寄存器的内容。 P2口也接收在flash编程和校验高位地址位和一些控制信号。 端口3是8位双向带内部上拉电阻的I / O端口。端口3输出缓冲器可吸入/源四TTL投入。当1s被写入港口3 pins，他们是通过拉高内部上拉电阻，可以作为输入。作为输入，港口3 pins被外部拉低，将输出由于上拉电流（IIL）。端口3接收一些控制信号对Flash进行编程和验证。港口3也可以用各种特殊功能的AT89S51的功能，如下表中。 端口引脚 第二功能 P3.0 RXD(串行输入端口) P3.1 TXD(串行输出端口) P3.2 INT0(外部中断0) P3.3 INT1（外部中断1） P3.4 T0(定时/计数器0外部输入） P3.5 T1（定时/计数器1外部输入） P3.6 WR（外部数据存储器写选通） P3.7 RD（外部数据存储器读选通） 3存储器结构 MCS-51设备有程序和数据存储器具有独立的地址空间。每个外部程序和数据存储器64K字节可寻址。 3.1程序存储器 如果EA引脚被连接到GND，所有程序取被定向到外部存储器。在AT89S51，如果EA连接到VCC，程序获取到地址0000H通过FFFH被定向到内部存储器，并获取到地址1000H通过FFFFH被定向到外部存储